[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備以及半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980107640.X
• 申請日: 2009-02-26
• 公開（公告）號: CN101960608A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 古屋敷純也;吉川則之;福田敏行;絲岡敏昌;宇辰博喜
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L21/60;H01L23/28
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備以及半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，尤其涉及在基板上搭載有具備受光部的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體設(shè)備以及半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體受光裝置在設(shè)置有電極的基板上配置光敏芯片，并以透明保護(hù)層將其覆蓋。這是因?yàn)橐Ｗo(hù)電極焊盤、引線、受光部的部分不受基于外界空氣中所含的水分的腐蝕和塵埃的影響。

然而，近年來，因電子設(shè)備的小型化，將包括半導(dǎo)體受光裝置的部件小型化并裝入電子設(shè)備的部件的一部分以形成一體化的部件的情形有所增加。這種一體化部件大多用樹脂將外形部分密封，從而基本上沒有進(jìn)入水分、塵埃的間隙。

另外，在硬盤驅(qū)動器裝置中，驅(qū)動器裝置本身為封閉狀態(tài)，其內(nèi)部充滿水分、塵埃非常少的清潔的氣體。

在這種處于密封狀態(tài)的半導(dǎo)體受光裝置中，沒有必要如上所述地以透明保護(hù)層進(jìn)行覆蓋，可以暴露受光部。暴露受光部的半導(dǎo)體受光裝置能夠獲得提高受光靈敏度的效果。需要說明的是，暴露受光部的半導(dǎo)體芯片被稱作裸芯片。

專利文獻(xiàn)1所公開的半導(dǎo)體受光裝置的制造方法是通過光刻法在受光部的上方載置抗蝕劑、然后在模制樹脂后除去所述抗蝕劑以形成裸芯片。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-150038號公報

在省去受光部上的透明保護(hù)層的半導(dǎo)體受光裝置中，用于連接基板和光敏芯片的端子部分等由密封樹脂模制，而只露出受光部分。即，在由樹脂體形成的凹部的底部形成受光部分。

在這種半導(dǎo)體受光裝置中，若由樹脂體形成的凹部的壁面所反射的光入射到受光部分，則入射光在受光元件表面反射，在受光元件表面反射的光將遇到密封樹脂的壁面，并形成漫反射狀態(tài)。該漫反射光由受光元件再次受光從而造成受光元件的輸出不穩(wěn)定的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備包括半導(dǎo)體元件和搭載該半導(dǎo)體元件的基板，所述半導(dǎo)體設(shè)備構(gòu)成為，所述半導(dǎo)體元件在一面上具備受光部和接合焊盤，該一面的背面?zhèn)却钶d在所述基板上，在搭載所述半導(dǎo)體元件一側(cè)的面即所述基板的搭載面上形成有引出電極，所述接合焊盤和所述引出電極通過金屬細(xì)線連接，在所述半導(dǎo)體元件的所述一面上設(shè)置有存在于所述受光部和所述接合焊盤之間且包圍該受光部的第一絕緣體，所述接合焊盤和所述金屬細(xì)線通過密封樹脂密封，在所述半導(dǎo)體元件的所述一面上，所述第一絕緣體的外周和所述密封樹脂接觸，面向所述受光部且包圍該受光部的所述第一絕緣體的內(nèi)周壁，具有隨著遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體元件的所述一面而開口面積變大的錐形形狀。

發(fā)明效果

由于本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備在受光部的周圍形成絕緣體的框體并且在該框體的外側(cè)形成密封樹脂，所以在密封樹脂硬化時框體向外側(cè)被拉引，從而傾斜地形成框體的壁面。因此，能夠獲得即使在受光部反射的不需要的光在壁面漫反射，半導(dǎo)體設(shè)備也不會誤動作的效果。

附圖說明

圖1(a)是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖1(b)是示意剖視圖。

圖2是表示構(gòu)成實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的半導(dǎo)體元件的放大部分的圖。

圖3是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的工序的圖。

圖4是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的工序的圖。

圖5是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的工序的圖。

圖6是說明形成第一絕緣體的過程的圖。

圖7是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的工序的圖。

圖8是表示引線接合的工序的圖。

圖9是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的樹脂模制的工序的圖。

圖10是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的樹脂模制的工序的圖。

圖11是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的切制的工序的圖。

圖12是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的一個變形例的圖。

圖13是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的一個變形例的圖。

圖14是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的一個變形例的圖。

圖15是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的一個變形例的圖。

圖16是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的一個變形例的圖。

圖17是表示相關(guān)技術(shù)中的搭載有裸芯片的半導(dǎo)體設(shè)備的圖。

圖18是圖17的裸芯片的元件周邊的放大圖。

符號說明

1半導(dǎo)體設(shè)備

3基板

5基板表面

7一面

10半導(dǎo)體元件

12受光部

14接合焊盤

16接合焊盤

18引出電極

20接合引線(金屬細(xì)線)

22搭載面

24密封樹脂