[發明專利]半導體設備以及半導體設備的制造方法

無效

• 申請號: 200980107640.X
• 申請日: 2009-02-26
• 公開（公告）號: CN101960608A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 古屋敷純也;吉川則之;福田敏行;絲岡敏昌;宇辰博喜
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L21/60;H01L23/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體設備，其包括半導體元件和搭載該半導體元件的基板，其中，

所述半導體元件在一面上具備受光部和接合焊盤，該一面的背面側搭載在所述基板上，

在搭載所述半導體元件一側的面即所述基板的搭載面上形成有引出電極，

所述接合焊盤和所述引出電極通過金屬細線連接，

在所述半導體元件的所述一面上設置有存在于所述受光部和所述接合焊盤之間且包圍該受光部的第一絕緣體，

所述接合焊盤和所述金屬細線通過密封樹脂密封，

在所述半導體元件的所述一面上，所述第一絕緣體的外周與所述密封樹脂接觸，

面向所述受光部且包圍該受光部的所述第一絕緣體的內周壁，具有隨著遠離所述半導體元件的所述一面而開口面積變大的錐形形狀。

2.如權利要求1所述的半導體設備，其特征在于，

所述金屬細線通過使第二接合部與所述接合焊盤連接的逆引線法形成。

3.如權利要求1或2中任一項所述的半導體設備，其特征在于，

所述引出電極延伸到所述搭載面的外周緣，

在所述搭載面的外周，在所述引出電極上形成有第二絕緣體。

4.如權利要求1或2中任一項所述的半導體設備，其特征在于，

所述第一絕緣體以一定的寬度設置在所述半導體元件上。

5.如權利要求1或2中任一項所述的半導體設備，其特征在于，

在所述第一絕緣體的外周壁上設有凸凹。

6.如權利要求1或2中任一項所述的半導體設備，其特征在于，

在所述基板的與所述搭載面相反的一側的背面設置有第三絕緣體。

7.如權利要求1或2中任一項所述的半導體設備，其特征在于，

在所述基板上形成有通孔。

8.如權利要求1至7中任一項所述的半導體設備，其特征在于，

所述密封樹脂的外周緣的角部被倒角。

9.一種半導體設備的制造方法，其特征在于，

包括：

將具備受光部和接合焊盤的半導體元件搭載到具備引出電極的基板上的工序；

以包圍所述半導體元件的受光部的方式在該受光部和所述接合焊盤之間將第一絕緣體設置在該半導體元件上的工序；

將所述接合焊盤和所述引出電極通過金屬細線連接的工序；

將所述接合焊盤和所述金屬細線通過密封樹脂密封并使該密封樹脂接觸所述第一絕緣體的外周壁部的工序，

通過所述密封樹脂硬化時的應力，所述絕緣體的內周壁的上部向外周壁側傾斜。