[發明專利]納米管器件

有效

• 申請號: 200980105929.8
• 申請日: 2009-01-20
• 公開（公告）號: CN101952987A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: R·考尼斯托;A·伊薩克松;J·基納雷特;E·坎貝爾;李相旭;A·埃里克松
• 申請（專利權）人: 諾基亞公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;B82B1/00;H01L29/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;趙鵬華

技術領域

本發明涉及包括納米管電極的器件，以及涉及制造這種器件的方法。

背景技術

納米管器件已知用于各種電應用中。由于他們的操作取決于機械運動，所以納米管器件可稱為納米機電(HEMS)結構。

期望在可調諧射頻(RF)濾波器技術中使用碳納米管，因為其能夠潛在地成為軟件定義的和認知的無線電硬件的主使能器。

WO?03/078305描述了可用作濾波器的碳納米管器件。

發明內容

本發明的第一方面提供一種器件，包括：納米管，被配置為諧振器；源極；柵極；漏極；和至少一個阻止元件，其中所述至少一個阻止元件被配置為最小化由至少源極和納米管之間的接觸阻抗產生的能量損耗。

因此，所構成的器件可造成Q因子降低的減少。

所述阻止元件可以是固體絕緣材料層，并且所述納米管的第一端部可經由所述固體絕緣材料層固定至所述源極，所述固體絕緣材料層位于所述納米管和所述源極之間。

可設置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的第二端部從所述源極、在所述柵極和所述漏極之上延伸。

所述納米管可與所述源極進行第一電容接觸，與所述柵極進行第二電容接觸，以及與所述漏極進行第三電容接觸，其中所述第一電容接觸的電容大于所述第二和第三電容接觸的電容。

可替換地，所述至少一個阻止元件可包括第一固體絕緣材料層和第二固體絕緣材料層，以及其中所述納米管的第一端部可經由所述第一固體絕緣材料層固定至所述源極，所述第一固體絕緣材料層位于所述納米管的第一端部和所述源極之間，以及所述納米管的第二端部可經由所述第二固體絕緣材料層固定至所述漏極，所述第二固體絕緣材料層位于所述納米管的第二端部和所述漏極之間。

可設置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的在所述第一和第二端部之間的中部橋接所述源極和所述漏極之間的間隙，所述納米管的中部通常被放置于所述柵極之上。

所述納米管可與所述源極進行第一電容接觸，與所述柵極進行第二電容接觸，以及與所述漏極進行第三電容接觸，其中所述第一電容接觸和所述第三電容接觸的電容大于所述第二電容接觸的電容。

可替換地，所述至少一個阻止元件可包括電感元件，所述電感元件與所述源極串聯。

可設置所述納米管，使得所述納米管的第一端部與所述源極的表面接觸，以及所述納米管的第二端部從所述源極、通常在所述柵極和所述電極之上延伸。

可替換地，所述至少一個阻止元件可包括：第一電感元件以及第二電感元件，其中所述第一電感元件與所述源極串聯，以及所述第二電感元件與所述漏極串聯。

可設置所述納米管，使得所述納米管的第一端部與所述源極的表面接觸，以及所述納米管的第二端部與所述漏極的表面接觸，以及所述納米管的在所述第一和第二端部之間的中部橋接所述源極和所述漏極之間的間隙，所述納米管的中部通常被放置于所述柵極之上。

所述源極、所述柵極、和所述漏極可位于襯底的表面上，以及所述柵極通?？晌挥谒鲈礃O和所述漏極之間。

所述器件可具有共振頻率，所述共振頻率通過向所述柵極施加偏置電壓可改變。

根據本發明的第二方面，提供一種器件，該器件包括：納米管，被配置為諧振器；源極；柵極；和漏極；其中所述納米管的第一端部經由中間的固體絕緣材料層固定至所述源極。

可設置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的第二端部從所述源極、通常在所述柵極和所述漏極之上延伸。

所述納米管可與所述源極進行第一電容接觸，與所述柵極進行第二電容接觸，以及與所述漏極進行第三電容接觸，其中所述第一電容接觸的電容大于所述第二和第三電容接觸的電容。

可替換地，所述納米管的第一端部可經由第一固體絕緣材料層固定合至所述源極，以及所述納米管的第二端部可經由中間的第二固體絕緣材料層固定或耦接至所述漏極。

可設置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的在所述第一和第二端部之間的中部橋接所述源極和所述漏極之間的間隙，所述納米管的中部通常被放置于所述柵極之上。

所述納米管可與所述源極進行第一電容接觸，與所述柵極進行第二電容接觸，以及與所述漏極進行第三電容接觸，其中所述第一電容接觸和所述第三電容接觸的電容大于所述第二電容接觸的電容。

所述源極、所述柵極、和所述漏極可位于襯底的表面上。

所述柵極通?？晌挥谒鲈礃O和所述漏極之間。

所述器件可具有共振頻率，所述共振頻率通過向所述柵極施加偏置電壓可改變。