[發(fā)明專利]納米管器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980105929.8
• 申請日: 2009-01-20
• 公開（公告）號: CN101952987A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·考尼斯托;A·伊薩克松;J·基納雷特;E·坎貝爾;李相旭;A·埃里克松
• 申請（專利權(quán)）人: 諾基亞公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;B82B1/00;H01L29/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;趙鵬華

1.一種器件，包括：

納米管，被配置為諧振器；

源極；

柵極；

漏極；以及

至少一個阻止元件，其中所述至少一個阻止元件被配置為最小化因至少所述源極和所述納米管之間的接觸阻抗產(chǎn)生的能量損耗。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述阻止元件包括固體絕緣材料層，并且所述納米管的第一端部經(jīng)由所述固體絕緣材料層耦接至所述源極，所述固體絕緣材料層位于所述納米管和所述源極之間。

3.如權(quán)利要求1或2所述的器件，其中設(shè)置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的第二端部從所述源極、在所述柵極和所述漏極之上延伸。

4.如任意先前權(quán)利要求所述的器件，其中所述納米管與所述源極進行第一電容接觸，與所述柵極進行第二電容接觸，以及與所述漏極進行第三電容接觸，其中所述第一電容接觸的電容大于所述第二和第三電容接觸的電容。

5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個阻止元件包括第一固體絕緣材料層和第二固體絕緣材料層，以及其中所述納米管的第一端部經(jīng)由所述第一固體絕緣材料層耦接至所述源極，所述第一固體絕緣材料層位于所述納米管的第一端部和所述源極之間，以及所述納米管的第二端部經(jīng)由所述第二固體絕緣材料層耦接至所述漏極，所述第二固體絕緣材料層位于所述納米管的第二端部和所述漏極之間。

6.如權(quán)利要求5所述的器件，其中設(shè)置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的在所述第一和第二端部之間的中部橋接所述源極和所述漏極之間的間隙，所述納米管的中部通常被放置于所述柵極之上。

7.如權(quán)利要求5或6所述的器件，其中所述納米管與所述源極進行第一電容接觸，與所述柵極進行第二電容接觸，以及與所述漏極進行第三電容接觸，其中所述第一電容接觸和所述第三電容接觸的電容大于所述第二電容接觸的電容。

8.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個阻止元件包括電感元件，所述電感元件與所述源極串聯(lián)。

9.如權(quán)利要求8所述的器件，其中設(shè)置所述納米管，使得所述納米管的第一端部與所述源極的表面接觸，以及所述納米管的第二端部從所述源極、通常在所述柵極和所述漏極之上延伸。

10.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個阻止元件包括：

第一電感元件；以及

第二電感元件；其中所述第一電感元件與所述源極串聯(lián)，以及所述第二電感元件與所述漏極串聯(lián)。

11.如權(quán)利要求10所述的器件，其中設(shè)置所述納米管，使得所述納米管的第一端部與所述源極的表面接觸，以及所述納米管的第二端部與所述漏極的表面接觸，以及所述納米管的、在所述第一和第二端部之間的中部橋接所述源極和所述漏極之間的間隙，所述納米管的中部通常被放置于所述柵極之上。

12.如任意先前權(quán)利要求所述的器件，其中所述源極、所述柵極、和所述漏極位于襯底的表面上。

13.如任意先前權(quán)利要求所述的器件，其中所述柵極通常位于所述源極和所述漏極之間。

14.如任意先前權(quán)利要求所述的器件，其中所述器件具有共振頻率，所述共振頻率通過向所述柵極施加偏置電壓可改變。

15.一種器件，包括：納米管，被配置為諧振器的至少一部分；源極；柵極；和漏極；其中所述納米管的第一端部經(jīng)由中間的固體絕緣材料層耦接至所述源極。

16.如權(quán)利要求15所述的器件，其中設(shè)置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的第二端部從所述源極、通常在所述柵極和所述漏極之上延伸。

17.如權(quán)利要求15所述的器件，其中所述納米管的第一端部經(jīng)由第一固體絕緣材料層耦接至所述源極，以及所述納米管的第二端部經(jīng)由中間的第二固體絕緣材料層耦接至所述漏極。

18.如權(quán)利要求17所述的器件，其中設(shè)置所述納米管、所述源極、所述柵極、和所述漏極，使得所述納米管的在所述第一和第二端部之間的中部橋接所述源極和所述漏極之間的間隙，所述納米管的中部通常被放置于所述柵極之上。