[發明專利]微細構造的制作方法以及具備微細構造的基板

無效

• 申請號: 200980105337.6
• 申請日: 2009-02-16
• 公開（公告）號: CN101970341A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 江龍修;木下隆利;河田研治;堀田和利
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82B1/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 崔幼平;楊楷

技術領域

本發明涉及一種在表面具有原子臺階、特別是具有相互平行的直線狀的原子臺階的基板上制作出由沿著原子臺階延伸的線狀要素構成的微細構造的方法，以及具備這種微細構造的基板。本發明還涉及在基板表面上制作出含有凸條的微細構造的方法，以及具備這種微細構造的基板。

背景技術

以往，通過采用朗繆爾-布勞杰特法(Langmuir-Blodgett、簡稱LB法)等方法使多肽等微小物質在基板上有規則地排列，在基本上制作出微細秩序構造的技術是公知的(例如參照專利文獻1)。這樣在基板上制作出的微細秩序構造例如通過將其用作鑄模而與物理結構上穩定的原材料、例如上述基板進行負片拷貝，提供能夠適用于各種各樣的產業用途上的材料，產業上的利用性高。

但是，在現有的制作出微細秩序構造的技術的情況下，微小物質在基板上規則地排列的領域大多僅限于基板上的很少一部分。即，在現有技術中，再現性良好地得到大面積的微細秩序構造并不容易。因此，對于將在基板上制作出的微細秩序構造例如負片拷貝在基板上而得到的微細秩序構造，目前再現性良好地得到大面積的微細秩序結構并不容易。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種用于在基板上制作出由沿著規定方向高精度地延伸的線狀要素構成的微細構造的方法以及具備這種微細構造的基板。而且，本發明的另一目的在于提供一種用于在基板表面上制作出含有沿著規定方向高精度地延伸的凸條的微細構造的方法以及具備這種微細構造的基板。

為了實現上述目的，在本發明的第1技術方案中提供一種在基板上制作出微細構造的方法。該方法包括：準備表面具有原子臺階的基板的工序；以及通過將線狀要素賦予基板上，使線狀要素沿著基板表面的原子臺階延伸地取向，從而在基板上形成由沿著原子臺階延伸的線狀要素構成的微細構造的工序。

在本發明的第2技術方案中提供一種基板，表面具有原子臺階，并且在基板上設有由沿著原子臺階延伸的線狀要素構成的微細構造。

在本發明的第3技術方案中提供一種在基板表面上制作出微細構造的方法。該方法包括：準備表面具有原子臺階的基板的工序；通過將線狀要素賦予基板上，使線狀要素在基板上沿著基板表面的原子臺階延伸地取向的工序；通過相對于在其上取向有線狀要素的基板進行離子照射，在基板表面產生晶格缺陷層的工序，被線狀要素掩蓋的基板表面的第1部分與未被線狀要素掩蓋的基板表面的第2部分相比，因離子照射所產生的晶格缺陷層的厚度減小；以及通過對離子照射后的基板表面進行研磨而除去因離子照射而在基板表面上產生的晶格缺陷層的工序，通過在基板表面的上述第1部分處與上述第2部分處晶格缺陷層的厚度不同，在研磨后的基板表面得到由與上述第1部分相對應的凸條和與上述第2部分相對應的凹條構成的微細構造。

在本發明的第4技術方案中提供一種基板，在基板表面的至少1μ見方的區域的整體上具備重復的寬度為2～20nm的凸條。

附圖說明

圖1是本發明的一實施方式中作為單位要素的優選例的縮氨酸分子的模式圖。

圖2是通過圖1的縮氨酸分子形成逆平行β片狀構造而得到的縮氨酸纖維的模式圖。

圖3A是超平坦化的碳化硅基板Si面的原子力的顯微鏡照片。

圖3B是超平坦化的碳化硅基板C面的原子力的顯微鏡照片。

圖4是示意表示在C面上具備由圖2的縮氨酸纖維構成的微細構造的碳化硅基板的剖視圖。

圖5是從C面一側觀察圖4的碳化硅基板并進行攝影的原子力的顯微鏡照片。

圖6是示意表示相對于圖4的碳化硅基板進行離子照射的樣子的剖視圖。

圖7是示意表示相對于圖4的碳化硅基板進行離子照射，然后通過研磨除去了C面的晶格缺陷層后的碳化硅基板的剖視圖。

圖8是圖7的碳化硅基板研磨后的C面原子力的顯微鏡照片。

具體實施方式

以下，對本發明的一實施方式進行說明。

在本實施方式中，能夠相互會合并線狀生長的單位要素賦予基板上。作為在此使用的單位要素的典型例子，可列舉出能夠形成β片狀構造的縮氨酸分子。這種縮氨酸分子作用能夠形成β片狀構造，則不受氨基酸排列的內容、氨基酸殘基的數量、氨基酸側鏈的種類等限定。在β片狀構造中，相鄰的縮氨酸分子彼此通過一側的縮氨酸分子的主鏈的N-H基的氫原子與另一側的縮氨酸分子的主鏈的C＝O基的氧原子相互氫結合而相互平行或者逆平行地結合。