[發明專利]刻蝕非對稱晶片的方法、包含非對稱刻蝕晶片的太陽能電池及制造該太陽能電池的方法無效
| 申請號: | 200980104030.4 | 申請日: | 2009-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN101933123A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發明(設計)人: | 金鐘大;金范城;尹周煥;李永賢 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 刻蝕 對稱 晶片 方法 包含 太陽能電池 制造 | ||
技術領域
本發明涉及刻蝕非對稱晶片的方法、包含非對稱刻蝕晶片的太陽能電池,以及制造該太陽能電池的方法。更具體地,本發明涉及刻蝕非對稱晶片的方法,其中,可以通過交疊兩個晶片并對兩個晶片進行單面刻蝕或非對稱刻蝕,來同時獲得用于太陽能電池的兩個晶片,該兩個晶片的受光表面被選擇性地刻蝕,并且,本發明還涉及包含所述非對稱刻蝕的晶片的太陽能電池,以及制造所述太陽能電池的方法。
背景技術
由于環境污染和資源消耗等問題,迫切需要開發無污染的清潔能源。因此,太陽能電池同核能和風能一起吸引了廣泛的關注。目前,基于硅(Si)單晶和多晶襯底的太陽能電池已經被開發出來并投入商用,而為了通過減少原材料使用來制造更便宜的太陽能電池,對非晶硅薄膜太陽能電池和薄膜型化合物半導體太陽能電池的研究也在積極進行中。
太陽能電池是利用光伏效應將光能轉換為電能的器件,其具有p型半導體和n型半導體結形式,太陽能電池通過將由陽光生成的電子或空穴移動到與形成電子或空穴的面相對的面來生成電流,從而生成電力。
根據組成材料,這樣的太陽能電池被分類為硅太陽能電池、薄膜太陽能電池、染料敏化太陽能電池、有機高分子太陽能電池等。這樣的太陽能電池可以獨立地用作電子鐘、收音機、無人值守燈塔、人造衛星、火箭等的主要電源,以及通過連接到商用交流電源而用作輔助電源。近來,由于對替代能源的需要在不斷增長,因此,對太陽能電池的關注也在不斷增長。
在太陽能電池中,增加與被轉換為電能的入射陽光的比例相關的轉換效率是非常重要的。為了提高所述轉換效率,已經進行了各種研究。
發明內容
要解決的技術問題
本發明的目的是提供一種刻蝕晶片的方法,其中,交疊并刻蝕多個晶片,可以同時獲得可應用于太陽能電池的所述多個晶片,這些晶片具有單面刻蝕結構或者非對稱刻蝕結構。
本發明的另一個目的是提供一種刻蝕晶片的方法,其中,交疊并刻蝕多個晶片,通過選擇性地刻蝕這些晶片,可以消除不必要的背面刻蝕。
本發明的另一個目的是提供一種太陽能電池和制造該太陽能電池的方法,該太陽能電池使用通過對多個晶片同時進行單面刻蝕或雙面非對稱刻蝕而獲得的刻蝕面作為受光表面。
技術方案
為了實現上述目的,根據本發明一個方面,提供了一種刻蝕晶片的方法,該方法包括以下步驟:選擇性地僅刻蝕所述晶片的一面;和以不同的刻蝕率非對稱地刻蝕所述晶片的兩面。
所述僅刻蝕所述晶片的一面的步驟包括以下步驟:將兩個晶片的彼此面對的面無間隙地緊密粘合在一起;同時刻蝕緊密粘合的晶片的暴露于外的面;以及將緊密粘合的晶片分開。
所述非對稱地刻蝕所述晶片的兩面的步驟包括以下步驟:按在各晶片之間保持預定間隙的方式交疊多個晶片;刻蝕所交疊的晶片;以及將所交疊的晶片分開。
在本發明的一個實施方式中,所述刻蝕率是指刻蝕的比率或程度。因此,如果刻蝕執行時間、刻蝕方法、刻蝕液差異以及刻蝕執行位置等不同,則晶片表面粗糙度也變得不同,從而導致晶片的兩面的刻蝕率出現差異。
刻蝕執行時間和刻蝕方法不受具體限制。在使用刻蝕液的刻蝕方法中,可以包括區別刻蝕液的成分的方法。通過對執行刻蝕的晶片位置進行區分,可以得到不均勻的刻蝕,使得可以制造出兩面被非對稱刻蝕的晶片。
在本發明的一個實施方式中,刻蝕液可以滲入的各個晶片之間的間隙可以具有不同的寬度。
所述間隙之間的間隔距離不受限制,但是,該距離要足夠,以滿足分離的晶片的內側面能夠被滲入該間隙的刻蝕液進行刻蝕所需的距離。
當在所述多個晶片之間存在間隙的情況下執行刻蝕時,所述刻蝕液對關于所述最外側的晶片面對稱的、其間存在間隙的晶片面的滲入程度發生變化,使得可以非對稱地刻蝕各個晶片面。
所述多個晶片可以按具有對應中心線或具有交疊部分的方式相互交疊并且被刻蝕,其中,這可以是非對稱地刻蝕所述晶片的方法。
根據本發明的一個實施方式,連續地或者非連續地執行各個步驟。
所述連續地執行各個步驟是指連續執行一系列工作工序,而所述非連續地執行各個步驟是指不連續執行各個步驟,任何時間都可以加入其它工藝。
根據本發明的一個實施方式,盡管可以利用濕法刻蝕、干法刻蝕或者濕法-干法組合刻蝕中的任何一種來執行所述刻蝕晶片的步驟,但是,本發明不限于該具體情況,本領域技術人員容易理解的任何公知的刻蝕技術都適用于本發明。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





