[發明專利]刻蝕非對稱晶片的方法、包含非對稱刻蝕晶片的太陽能電池及制造該太陽能電池的方法

無效

• 申請號: 200980104030.4
• 申請日: 2009-02-18
• 公開（公告）號: CN101933123A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 金鐘大;金范城;尹周煥;李永賢
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;張旭東

1.一種刻蝕晶片的方法，該方法包括以下步驟：

選擇性地僅刻蝕所述晶片的一面；和

以不同的刻蝕率非對稱地刻蝕所述晶片的兩面。

2.根據權利要求1所述的刻蝕晶片的方法，其中，所述僅刻蝕所述晶片的一面的步驟包括以下步驟：

將兩個晶片的彼此面對的面無間隙地緊密粘合在一起；

同時刻蝕緊密粘合的晶片的暴露于外的面；以及

將緊密粘合的晶片分開。

3.根據權利要求1所述的刻蝕晶片的方法，其中，所述非對稱地刻蝕所述晶片的兩面的步驟包括以下步驟：

按在各晶片之間保持預定間隙的方式交疊多個晶片；

刻蝕所交疊的晶片；以及

將所交疊的晶片分開。

4.根據權利要求3所述的刻蝕晶片的方法，其中，刻蝕溶液能滲入的各晶片之間的間隙具有不同的寬度。

5.根據權利要求3所述的刻蝕晶片的方法，其中，所述多個晶片按具有對應中心線或具有交疊部分的方式相互交疊。

6.根據權利要求2或3所述的刻蝕晶片的方法，其中，連續地或者非連續地執行各個步驟。

7.根據權利要求1所述的刻蝕晶片的方法，其中，利用濕法刻蝕、干法刻蝕以及濕法-干法組合刻蝕中的任何一種來執行所述刻蝕晶片的步驟。

8.一種太陽能電池，其是體硅太陽能電池，該太陽能電池包括：

具有受光表面和非受光表面的硅襯底，

其中，所述受光表面和所述非受光表面具有不同形狀的不平坦結構。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其中，形成在所述受光表面上的不平坦結構在數量、大小、高度和形狀中的一個或更多個方面不同于形成在所述非受光表面上的不平坦結構。

10.根據權利要求8所述的太陽能電池，其中，形成在所述受光表面上的不平坦結構的數量大于形成在所述非受光表面上的不平坦結構的數量。

11.根據權利要求8所述的太陽能電池，其中，所述受光表面的反射率低于所述非受光表面的反射率。

12.根據權利要求8所述的太陽能電池，其中，在所述襯底的受光表面上順序形成有摻雜了半導體雜質的發射極、防反射層以及正面電極，在所述襯底的所述非受光表面上順序形成有背面場BSF層和背面電極。

13.根據權利要求8所述的太陽能電池，其中，通過區分刻蝕執行時間、刻蝕執行位置或者刻蝕方法來進行刻蝕。

14.一種制造體硅太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟：

選擇性地僅刻蝕硅襯底的一面，或者以不同的刻蝕率非對稱地刻蝕所述硅襯底的兩面。