[發(fā)明專利]環(huán)境氣氛凈化裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980103595.0 | 申請日: | 2009-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN101933120A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 及川純史;田村明威;林輝幸 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 環(huán)境 氣氛 凈化 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及例如在半導(dǎo)體制造工場使用的環(huán)境氣氛凈化裝置。
背景技術(shù)
一般地,將空氣經(jīng)由設(shè)置在頂棚部的風(fēng)機(jī)過濾單元(FFU)向半導(dǎo)體制造工場內(nèi)的無塵室供給,并且通過配置在地板上的抽風(fēng)機(jī)來吸入空氣,從而在置有半導(dǎo)體晶片、玻璃基板等基板的環(huán)境氣氛中形成下降流(所謂的downflow)。此外,這種下降流的形成在半導(dǎo)體制造裝置中的大氣輸送環(huán)境氣氛中也有采用。
根據(jù)這種方法,由FFU凈化過的空氣被供給到基板所處的環(huán)境氣氛中。此外,伴隨著基板的輸送等在環(huán)境氣氛中產(chǎn)生的顆粒也在基于重力和下降流的慣性力的作用下使之被強(qiáng)制地移動到環(huán)境氣氛的下方,并被排出到環(huán)境氣氛之外。這樣,維持著該環(huán)境氣氛的清潔狀態(tài)。然后,即使在基板所處的環(huán)境氣氛中,特別是大氣輸送環(huán)境氣氛(輸送路上的大氣環(huán)境氣氛)中,容易從基板輸送機(jī)構(gòu)的驅(qū)動部分產(chǎn)生灰塵,此外,在交接基板時附著在基板的周緣上的薄膜被剝離而易于產(chǎn)生顆粒,因此這種顆粒污染的防止對策很重要。
但是,隨著基板的配線圖案變得致密,顆粒的附著管理變得更加嚴(yán)密。即,伴隨著顆粒的微細(xì)化,現(xiàn)在被允許的粒徑的顆粒也成了問題。即,作為附著防止的對象的顆粒的粒徑變小。對于小粒徑的顆粒等,用現(xiàn)有的方法會發(fā)生如下的問題。即,當(dāng)顆粒等的粒徑變小時,顆粒所產(chǎn)生的重力和下降流帶來的慣性力的影響變小。因此,在現(xiàn)有的FFU的氣流控制下,擴(kuò)散的影響變大,無法充分地控制微小顆粒,無法伴隨下降流使之向基板的下方移動,從而存在在基板上附著顆粒等的可能。
對于上述的問題,在輸送裝置上設(shè)置離子發(fā)生裝置,使該輸送裝置內(nèi)的顆粒帶電,將與帶電的該顆粒相同極性的直流電壓施加到半導(dǎo)體基板上,借助顆粒和基板的同極性的電場的靜電反作用力防止顆粒向基板的附著(JP特開2005-116823號公報(段落編號0043、0044))。在這樣的大氣輸送裝置中,顆粒通過靜電反作用力從基板被彈出。因此,與利用FFU的氣流控制相比,可以更高精度地防止顆粒的附著。但是,由于完全沒有針對離子發(fā)生裝置的電場考慮過,所以作為防止更微小的顆粒附著的方法是不夠的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的情況而做出的,其目的在于提供能夠抑制顆粒向被處理體的附著的環(huán)境氣氛凈化裝置。
本發(fā)明是一種環(huán)境氣氛凈化裝置,其特征在于,具備:在被處理體所處的環(huán)境氣氛內(nèi)形成下降流的機(jī)構(gòu);多個離子發(fā)生器,它們位于被處理體的上方位置,且在從上方所見的布局中隔著上述被處理體對稱地配置,對各上述下降流向橫向供給正或負(fù)的任一方的離子;向上述被處理體施加與施加到上述多個離子發(fā)生器的電極的電壓相同符號的直流電壓的機(jī)構(gòu),上述對稱地配置的離子發(fā)生器配置成相互面對。
根據(jù)本發(fā)明,通過由離子發(fā)生器帶電的顆粒與施加有電壓的被處理體之間的靜電斥力,防止顆粒向被處理體的附著。在此,基于離子發(fā)生器和被處理體的相對位置給顆粒向被處理體的附著防止效果帶來很大影響、繼而顆粒的附著量根據(jù)被處理體的電壓的大小而變化等本發(fā)明人的想法(由實驗獲得的數(shù)據(jù)等),以隔著被處理體的方式對稱地配置多個離子發(fā)生器,從而基于一個離子發(fā)生器在晶片的表面附近生成的電位梯度,通過基于另一離子發(fā)生器產(chǎn)生的電位梯度而平衡,關(guān)于離子發(fā)生器的電力線對晶片的表面附近電位的影響,在面內(nèi)的偏差變小。其結(jié)果,在被處理體的表面整體上,能夠?qū)︻w粒作用適當(dāng)?shù)撵o電斥力。由此,即使是微細(xì)的顆粒也可以有效地減低向晶片的附著。
例如,上述對稱地配置的離子發(fā)生器彼此的組能夠構(gòu)成為,沿被處理體的周圍設(shè)置多個組。或者,通過沿被處理體的周圍排列的多個離子發(fā)生器形成集團(tuán),該集團(tuán)彼此在從上方所見的布局中隔著上述被處理體對稱地配置。此時,優(yōu)選上述集團(tuán)是多個離子發(fā)生器呈一橫列排列配置而成的集團(tuán)。
此外,例如在設(shè)有輸送被處理體的帶狀的輸送路的情況下,能夠在該輸送路的兩側(cè)分別將多個離子發(fā)生器在俯視的布局中呈一列排列地配置。
或者,本發(fā)明是一種環(huán)境氣氛凈化裝置,其特征在于,具備:在被處理體所處的環(huán)境氣氛中形成下降流的機(jī)構(gòu);多個離子發(fā)生器,它們在被處理體的上方位置相互在橫向分離地配置,且對各上述下降流向下方供給正或負(fù)中的任一方的離子;向上述被處理體施加與施加到上述多個離子發(fā)生器的電極的電壓相同符號的直流電壓的機(jī)構(gòu)。
此外,根據(jù)本發(fā)明,由于在被處理體的上方位置將離子向下方供給的多個離子發(fā)生器被在橫向上分離地配置,因此被處理體的表面的電位的差變小,即使是微細(xì)的顆粒也可以減低向晶片的附著。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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