[發明專利]凹凸圖案形成方法和利用該方法的磁記錄介質的制造方法

無效

• 申請號: 200980103147.0
• 申請日: 2009-01-28
• 公開（公告）號: CN101970209A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 今井直行;森中克利;內田博;坂脇彰;福島正人
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: B29C59/02
• 分類號: B29C59/02;G11B5/84;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

技術領域

本發明涉及采用了特定凹凸圖案形成材料的凹凸圖案的形成方法和利用了通過該凹凸圖案形成方法形成的凹凸圖案制造磁記錄介質的方法。

背景技術

作為以高生產量在被加工材料表面形成凹凸微細結構的方法，以下技術是公知的。

在被加工材料表面形成膜，然后通過用具有凹凸圖案的型材對該膜進行壓紋以向上述膜轉印凹凸圖案。利用由如上所述形成的膜構成的凹凸圖案作為抗蝕劑來加工上述被加工材料。

該技術被稱為納米·壓印光刻(以下稱為為納米壓印。)。此外，被加工材料是指待形成凹凸圖案的材料，可列舉例如玻璃板等基體、在基體上形成磁性膜和/或保護膜的基板、實施掩蔽處理后的基體或基板等。

迄今為止，作為上述凹凸圖案即抗蝕劑形成材料的熱塑性聚合物，使用例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)(由Steohen?Y.Chou等人提出的方法。參照非專利文獻1)。因此，對于使用了該抗蝕劑形成材料的納米壓印，壓紋時需要加熱，存在壓紋后冷卻時，由于溫度變化而使壓紋后的轉印圖案的位置和線寬度發生變化這樣的問題。此外，由于在上述納米壓印中存在加熱-冷卻這樣的工序，因而操作性也不太好，在轉印工序中，將抗蝕劑形成材料附著于模制(壓紋)掩模，也存在圖案轉印精度低這樣的問題。

因此，開發出使用作為硅氧烷化合物之一的氫化倍半硅氧烷作為抗蝕劑形成材料，在基板上形成其涂布膜，然后在室溫下進行壓紋，再通過將上述氫化倍半硅氧烷水解固化，來獲得微細凹凸圖案的技術(參照專利文獻1)。此外，開發出在基板上形成由包含鄰苯二酚衍生物和間苯二酚衍生物的組合物構成的涂布膜，然后在室溫下進行壓紋，再通過使上述組合物固化，來獲得微細凹凸圖案的技術(參照專利文獻2)。

然而，在使用前者的氫化倍半硅氧烷的方法中，在工業上制造微細凹凸圖案(抗蝕劑)方面存在操作非常困難這樣的缺點。這是由于氫化倍半硅氧烷不穩定，因此作為涂布液的壽命短，而且涂布在基板上并干燥溶劑后的適用期短的緣故。

此外，在使用后者的有機材料的方法中，存在下述缺點：包含鄰苯二酚衍生物和間苯二酚衍生物的組合物對氧的耐性低，特別是在加工對氧氣蝕刻的耐性高的磁介質方面受到限制。

另一方面，作為向磁性膜轉印由上述納米壓印形成的抗蝕劑圖案的方法，干蝕刻法等是公知的。所謂干蝕刻法，是通過例如對形成了抗蝕劑圖案的基板噴吹蝕刻氣體，選擇性地部分至全部除去未形成抗蝕劑的基板部分的方法。由于通過蝕刻氣體除去抗蝕劑和基板的容易性方面存在差異，因此這樣的除去是可能的。即，抗蝕劑難以除去，基板容易除去。

然而，與在半導體中使用的硅酮晶片不同，由于磁性膜是由對蝕刻氣體(通常為氧氣)的耐性高的金屬氧化物形成，因此即使使用對蝕刻氣體的耐性比較高的氫化倍半硅氧烷等作為抗蝕劑形成材料，也存在抗蝕劑的凹凸形狀，即矩形變形，磁性膜的圖案形成不能順利進行這樣的問題。

需說明的是，在專利文獻3的比較例1中，將聚苯基倍半硅氧烷的丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液用旋轉涂布機涂布在玻璃基板上，將通過該涂布在基板上形成的薄膜按壓在模具上，從而在基板上形成微細圖案。

非專利文獻1：Appl.Phys.Lett.，Vol.76，p.3114(1995)

專利文獻1：特開2003-100609號公報

專利文獻2：特開2005-277280號公報

專利文獻3：特開2008-194894號公報

發明內容

因此，本發明的課題是提供以下兩種方法。

(1)使用了氧蝕刻耐性優異且適用期長的抗蝕劑形成材料的、可以在常溫下矩形性良好地進行壓印(壓紋)的凹凸圖案形成方法。

(2)使用了按照(1)的方法形成的凹凸圖案的、可以在具有磁性膜的基板等被加工材料上矩形性良好地進行圖案形成的磁記錄介質的制造方法。

本文中，“矩形性良好”意味著凹凸圖案的凹凸的線和拐角部的形狀清晰，其程度可以用目視、電子顯微鏡圖像進行評價。

本發明者們為了解決該課題進行了深入研究，結果發現包含R¹R²Si₂O₃的組成式所表示的、具有特定重均分子量的倍半硅氧烷化合物的溶液可以解決上述課題(1)和(2)。