[發明專利]凹凸圖案形成方法和利用該方法的磁記錄介質的制造方法

無效

• 申請號: 200980103147.0
• 申請日: 2009-01-28
• 公開（公告）號: CN101970209A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 今井直行;森中克利;內田博;坂脇彰;福島正人
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: B29C59/02
• 分類號: B29C59/02;G11B5/84;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

1.一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括下述工序(1)、工序(2)和工序(3)，

工序(1)：將包含下述組成式(A)所表示的、通過凝膠滲透色譜測定的標準聚苯乙烯換算的重均分子量為10000以上的倍半硅氧烷化合物的溶液涂布在被加工材料表面上以形成薄膜，

工序(2)：將具有凹凸圖案的母模按壓在該薄膜上，

工序(3)：將所述母模從所述薄膜上剝離，

R¹R²Si₂O₃????組成式(A)

在上述組成式(A)中，R¹和R²各自獨立地表示可以被取代的碳原子數為1～8的烷基、可以被取代的碳原子數為2～8的鏈烯基、可以被取代的碳原子數為1～6的烷氧基或可以被取代的碳原子數為6～10的芳基。

2.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述工序(2)在10～40℃的溫度下進行。

3.根據權利要求1或2所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在所述工序(2)中按壓母模的壓力為100～250MPa。

4.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述倍半硅氧烷化合物包含下述式(B)所示結構的重復單元：

在上述式(B)中，R¹和R²各自獨立地表示可以被取代的碳原子數為1～8的烷基、可以被取代的碳原子數為2～8的鏈烯基、可以被取代的碳原子數為1～6的烷氧基或可以被取代的碳原子數為6～10的芳基。

5.根據權利要求4所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，上述式(B)的R¹和R²各自獨立地為甲基或苯基。

6.根據權利要求1～5的任一項所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述倍半硅氧烷化合物的通過凝膠滲透色譜測定的標準聚苯乙烯換算的重均分子量為10000～30000。

7.根據權利要求1～6的任一項所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述倍半硅氧烷化合物是聚二苯基倍半硅氧烷。

8.一種凹凸圖案化磁記錄介質的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

使用在基體上具有磁性膜的基板作為被加工材料，通過權利要求1～7的任一項所述的凹凸圖案形成方法在該磁性膜上形成由薄膜構成的凹凸圖案，

除去在該凹凸圖案的凹陷部分的底部存在的所述薄膜，

將通過該除去而暴露出的、在所述凹陷部分的底部存在的所述磁性膜的至少一部分除去。

9.一種凹凸圖案化磁記錄介質的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

使用將基體、磁性膜、碳薄膜按該順序疊層的基板作為被加工材料，通過權利要求1～7的任一項所述的凹凸圖案形成方法在該碳薄膜上形成由薄膜構成的凹凸圖案，

除去在該凹凸圖案的凹陷部分的底部存在的所述薄膜，

將通過該除去而暴露出的、在所述凹陷部分的底部存在的所述碳薄膜除去，

將通過除去碳薄膜而暴露出的、在所述凹陷部分的底部存在的所述磁性膜的至少一部分除去。

10.根據權利要求9所述的凹凸圖案化磁記錄介質的制造方法，其特征在于，通過氧氣蝕刻除去所述碳薄膜，并且通過離子銑削除去所述磁性膜。

11.根據權利要求9或10所述的凹凸圖案化磁記錄介質的制造方法，其特征在于，所述碳薄膜的厚度為10～30nm。

12.一種磁記錄介質，采用權利要求9～11的任一項所述的凹凸圖案化磁記錄介質的制造方法獲得。

13.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具有權利要求12所述的磁記錄介質。