[發(fā)明專利]壓電器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980101968.0
• 申請(qǐng)日: 2009-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101911485A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 工藤敬實(shí);高峰裕一;筏克弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H03H9/25
• 分類號(hào): H03H9/25;H01L23/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張遠(yuǎn)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種壓電器件，詳細(xì)地涉及一種在壓電基板上形成有諧振器或?yàn)V波器等元件部的壓電器件。

背景技術(shù)

過(guò)去，已提出一種用覆蓋層覆蓋在壓電基板上形成的IDT電極這種結(jié)構(gòu)的壓電器件。

例如，圖8的剖面圖所示的壓電器件110，在形成有IDT電極112和焊盤電極113等的導(dǎo)電圖案的壓電基板111的一個(gè)主表面111a上，用樹(shù)脂形成框狀的支撐層120以便包圍形成有IDT電極112的IDT形成區(qū)域，在支撐層120之上形成樹(shù)脂的覆蓋層130。在此壓電器件110中，還用外圍樹(shù)脂140進(jìn)行整體覆蓋，密封IDT電極112的周圍的IDT空間114(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：JP特開(kāi)2006-352430號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

如此，在用覆蓋層覆蓋IDT電極的壓電器件中，如圖6的透視圖所示，為了不給壓電基板111上的傳播振動(dòng)的區(qū)域(形成有IDT電極112的區(qū)域及其附近區(qū)域)帶來(lái)壞影響，而遠(yuǎn)離IDT電極112形成支撐覆蓋層的支撐層120。由于樹(shù)脂的支撐層120的線膨脹系數(shù)比壓電基板111的線膨脹系數(shù)更大，所以一旦有溫度變化，就會(huì)在壓電基板111和支撐層120之間產(chǎn)生熱應(yīng)力，在其影響下就會(huì)在壓電基板111上的傳播振動(dòng)的區(qū)域中產(chǎn)生畸變、振動(dòng)傳播狀態(tài)變化，其結(jié)果使用IDT電極112形成的壓電元件的溫度特性劣化。

考慮通過(guò)加長(zhǎng)IDT電極112和支撐層120之間的距離，來(lái)改善溫度特性的劣化。

但是，如果將圖7(a)的主要部位剖面圖所示那樣的、將支撐層120接近形成在壓電基板111上的IDT電極112的結(jié)構(gòu)變?yōu)閳D7(b)的主要部位剖面圖所示那樣的、將支撐層120x遠(yuǎn)離IDT電極112、加長(zhǎng)IDT電極112和支撐層120x之間的距離的結(jié)構(gòu)，則支撐層120x上的覆蓋層130就會(huì)翹曲，覆蓋層130附著在IDT電極112上、反而發(fā)生特性劣化。特別是在用樹(shù)脂進(jìn)行鑄模的情況下，因鑄模時(shí)的壓力，使得覆蓋層130容易翹曲，特性劣化明顯。

此外，加長(zhǎng)IDT電極和支撐層之間的距離，設(shè)計(jì)自由度會(huì)降低。并且，這也與壓電器件小型化的要求背道而馳。

鑒于這樣的情況，本發(fā)明想要提供一種不改變IDT電極和支撐層之間的距離就能改善溫度特性的壓電器件。

本發(fā)明提供一種采用如下構(gòu)成的壓電器件。

一種壓電器件包括：(a)壓電基板，(b)形成在上述壓電基板的一個(gè)主表面上、含IDT電極的導(dǎo)電圖案，(c)在上述壓電基板的上述一個(gè)主表面上、圍繞在形成有上述IDT電極的IDT形成區(qū)域的周圍、且具有比上述IDT電極的厚度更大的厚度的支撐層，以及(d)配置在上述支撐層之上、覆蓋上述IDT形成區(qū)域的覆蓋層。在上述支撐層中，至少在靠近上述IDT形成區(qū)域的區(qū)域的多個(gè)部位，形成部分地去除了與上述壓電基板的上述一個(gè)主表面粘合的部分的去除部。

在上述結(jié)構(gòu)中，由于在支撐層中在靠近IDT形成區(qū)域的區(qū)域形成了去除部，所以在靠近IDT形成區(qū)域的區(qū)域中，支撐層和壓電基板的粘合面積變小。由此，緩和了熱應(yīng)力，由于熱應(yīng)力給壓電基板上的傳播振動(dòng)的區(qū)域(IDT形成區(qū)域及其附近部分)造成的影響變小，所以能改善壓電器件的溫度特性。

在支撐層中形成的去除部可以為各種各樣方式的結(jié)構(gòu)。

作為一個(gè)方式，上述去除部是以從形成在上述支撐層與上述IDT區(qū)域?qū)χ玫膬?nèi)周表面上的開(kāi)口向遠(yuǎn)離上述IDT形成區(qū)域的方向延伸的方式而形成的多個(gè)隙縫。

在此情況下，在靠近支撐層的IDT形成區(qū)域的區(qū)域中，由于通過(guò)隙縫可靠地減小與壓電基板的粘合面積，所以提高了溫度特性的改善效果。

作為另一方式，上述去除部是四周由上述支撐層包圍的孔。

在此情況下，當(dāng)從壓電基板的一個(gè)主表面的法線方向透視時(shí)，例如可以沿IDT形成區(qū)域的外周配置1列或2列以上的多個(gè)孔。或者，也可以沿IDT形成區(qū)域的外周延伸地配置細(xì)長(zhǎng)形狀的長(zhǎng)孔。

優(yōu)選地，上述去除部貫通在支撐層與上述壓電基板和上述覆蓋層相連的兩主表面之間。

貫通支撐層的去除部，可不追加特別的工序、在支撐層的構(gòu)圖時(shí)同時(shí)形成。

優(yōu)選使用感光性樹(shù)脂形成上述支撐層。

在此情況下，可利用光刻技術(shù)高精度地形成支撐層。

優(yōu)選使用感光性聚酰亞胺類樹(shù)脂形成上述支撐層。

通過(guò)使用感光性聚酰亞胺類樹(shù)脂，能確保高可靠性。

優(yōu)選使用感光性硅酮樹(shù)脂形成上述支撐層。

通過(guò)使用感光性硅酮樹(shù)脂，能進(jìn)行低溫硬化處理。

優(yōu)選使用感光性環(huán)氧類樹(shù)脂形成上述支撐層。