[發明專利]絕緣被覆導體檢查方法及裝置有效
| 申請號: | 200980101622.0 | 申請日: | 2009-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN101910853A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發明(設計)人: | 木村英明 | 申請(專利權)人: | 愛信艾達株式會社 |
| 主分類號: | G01R31/12 | 分類號: | G01R31/12;G01R31/06;G01R31/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;閻文君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 被覆 導體 檢查 方法 裝置 | ||
1.一種絕緣被覆導體檢查方法,用于檢查由絕緣被覆導體纏繞而形成的線圈中的該絕緣被覆導體的電絕緣特性,其特征在于,
將所述線圈配置于試驗容器內,
使該試驗容器內減壓,
與所述線圈之間空出間隙地使電極對峙,
向該電極與所述線圈之間施加交流電壓,
測定因交流電壓的施加在所述線圈與所述電極之間產生放電的產生頻度,
在放電的產生頻度大于基準產生頻度的情況下判定為是電絕緣性優異的合格品,在小于的情況下判定為是電絕緣性存在不良的次品。
2.根據權利要求1所述的絕緣被覆導體檢查方法,其特征在于,所述線圈是安裝于定子鐵心上的狀態下的線圈。
3.根據權利要求2所述的絕緣被覆導體檢查方法,其特征在于,所述電極與從所述定子鐵心的端部伸出的線圈末端部對峙,測定在該線圈末端部與所述電極之間產生放電的產生頻度。
4.根據權利要求3所述的絕緣被覆導體檢查方法,其特征在于,所述電極按照包圍所述線圈末端部的方式以截面近似コ字形形成。
5.根據權利要求1~4中任意一項所述的絕緣被覆導體檢查方法,其特征在于,所述電極與所述線圈之間的交流電壓的施加是相對于所述線圈將試驗部位局部地錯開而分多次進行的,按每個試驗部位分別進行所述判定。
6.根據權利要求1~5中任意一項所述的絕緣被覆導體檢查方法,其特征在于,測定所述放電的放電電荷量,在該放電電荷量為100000pc以下的范圍中測定所述產生頻度。
7.根據權利要求1~5中任意一項所述的絕緣被覆導體檢查方法,其特征在于,測定所述放電的放電電荷量,在該放電電荷量為10000pc以下的范圍中測定所述產生頻度。
8.一種絕緣被覆導體檢查裝置,用于檢查由絕緣被覆導體纏繞形成的線圈中的該絕緣被覆導體的電絕緣特性,其特征在于,
具有:
收納所述線圈的試驗容器;
用于使該試驗容器內減壓的減壓機構;
與所述線圈之間空出間隙地對峙的電極;
向該電極與所述線圈之間施加交流電壓的電壓施加機構;
測定因交流電壓的施加在所述線圈與所述電極之間產生放電的產生頻度的放電測定機構;
判定機構,其在該放電的產生頻度大于基準產生頻度的情況下,判定為是電絕緣性優異的合格品,在小于的情況下,判定為是電絕緣性存在不良的次品。
9.根據權利要求8所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述線圈是安裝于定子鐵心上的狀態下的線圈。
10.根據權利要求9所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述電極與從所述定子鐵心的端部伸出的線圈末端部對峙,測定在該線圈末端部與所述電極之間產生放電的產生頻度。
11.根據權利要求10所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述電極按照包圍所述線圈末端部的方式以截面近似コ字形形成。
12.根據權利要求8~11中任意一項所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述電極與所述線圈之間的交流電壓的施加是相對于所述線圈將試驗部位局部地錯開而分多次進行的,按每個試驗部位分別進行所述判定。
13.根據權利要求12所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述電極與所述線圈的一部分對峙并且可以相對于該線圈進行相對移動,利用所述電極的相對移動可以變更所述試驗部位。
14.根據權利要求12或13所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述電極被分割為多個進行設置,通過依次變更施加電壓的電極,可以變更所述試驗部位。
15.根據權利要求8~14中任意一項所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述放電測定機構測定所述放電的放電電荷量,在該放電電荷量為100000pc以下的范圍測定所述產生頻度。
16.根據權利要求8~14中任意一項所述的絕緣被覆導體檢查裝置,其特征在于,所述放電測定機構測定所述放電的放電電荷量,在該放電電荷量為10000pc以下的范圍測定所述產生頻度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于愛信艾達株式會社,未經愛信艾達株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980101622.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:低無源互調失真的可旋轉連接器
- 下一篇:制造多個半導體器件的方法和設備





