[實(shí)用新型]多晶硅還原爐

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920351434.0
• 申請(qǐng)日: 2009-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201746331U
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱青松
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 朱青松
• 主分類(lèi)號(hào): C01B33/03
• 分類(lèi)號(hào): C01B33/03;C30B29/06
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種多晶硅還原爐，主要是用三氯氫硅和氫氣在加熱的硅芯上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)多晶硅的還原爐。

背景技術(shù)

目前，國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)多晶硅的主要工藝技術(shù)是“改良西門(mén)子法”：用氯氣和氫氣合成氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純，提純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按比例混合后通入多晶硅還原爐內(nèi)，在一定的溫度和壓力下，在通電高溫硅芯上進(jìn)行沉積反應(yīng)生成多晶硅，反應(yīng)溫度控制在1080攝氏度左右，最終生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，同時(shí)生成四氯化硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產(chǎn)物。

多晶硅還原爐是“改良西門(mén)子法”生產(chǎn)多晶硅的主要設(shè)備，由底盤(pán)、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進(jìn)氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水出水管、底盤(pán)冷卻水進(jìn)水管、底盤(pán)冷卻水出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對(duì)產(chǎn)品的污染。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種多晶硅還原爐，該多晶硅還原爐單爐產(chǎn)量比現(xiàn)有的多晶硅還原爐單爐產(chǎn)量有大幅度提升。

本發(fā)明多晶硅還原爐主要由底盤(pán)、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進(jìn)氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水出水管、底盤(pán)冷卻水進(jìn)水管、底盤(pán)冷卻水出水管、連接硅芯與電極的石墨夾頭及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對(duì)產(chǎn)品的污染，每對(duì)電極分正、負(fù)極均勻的設(shè)置在底盤(pán)上，混和氣進(jìn)氣管分為數(shù)個(gè)噴口均勻的設(shè)置在底盤(pán)上，準(zhǔn)備生產(chǎn)時(shí)，在底盤(pán)上的各對(duì)電極上安裝好連接硅芯與電極的石墨夾頭并安裝好硅芯，再把含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體吊裝安裝在底盤(pán)上，進(jìn)行氣密性試驗(yàn)，確認(rèn)不漏氣后，通過(guò)電極對(duì)硅芯通電加熱，控制溫度至1080攝氏度，通入三氯氫硅和氫氣的混合氣，在高溫硅芯上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，其特征是在還原爐底盤(pán)上均勻布置60對(duì)電極。

該種還原爐每批次產(chǎn)量較現(xiàn)有的還原爐有大幅度的提升，每公斤多晶硅的電耗相應(yīng)降低，多晶硅的綜合生產(chǎn)成本和能耗也相應(yīng)降低。

附圖說(shuō)明

以下附圖結(jié)合說(shuō)明書(shū)具體的說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些附圖中所展示出的具體形態(tài)。

圖1為該多晶硅還原爐主視圖。

圖2為60對(duì)電極多晶硅還原爐底盤(pán)俯視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明涉及的多晶硅還原爐主視圖如圖1所示，1為含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體，2為視鏡孔，3為底盤(pán)，4為底盤(pán)冷卻水進(jìn)水管，5為底盤(pán)冷卻水出水管，6為混和氣進(jìn)氣管，7為進(jìn)氣管?chē)娍冢?為混和氣尾氣出氣管，9為爐體冷卻水進(jìn)水管，10為爐體冷卻水出水管，11為連接硅芯與電極的石墨夾頭，12為電極，13為硅芯，14為夾套冷卻水導(dǎo)流板，準(zhǔn)備生產(chǎn)時(shí)，在底盤(pán)3上的各對(duì)電極12上安裝好連接硅芯與電極的石墨夾頭11并安裝好硅芯13，再把含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體1吊裝安裝在底盤(pán)3上，進(jìn)行氣密性試驗(yàn)，確認(rèn)不漏氣后，通過(guò)電極12對(duì)硅芯13通電加熱，控制溫度至1080攝氏度，通過(guò)進(jìn)氣管?chē)娍?噴出的三氯氫硅和氫氣的混合氣在高溫通電硅芯13上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，最終生成棒狀多晶硅產(chǎn)品。

本發(fā)明涉及的多晶硅還原爐底盤(pán)俯視圖如圖2所示，7為進(jìn)氣管?chē)娍冢?為混和氣尾氣出氣管，12為電極，在還原爐底盤(pán)上分別均勻布置60對(duì)電極。