[實用新型]功率電晶體的封裝構造

無效

• 申請號: 200920216742.2
• 申請日: 2009-09-18
• 公開（公告）號: CN201514937U
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 梁偉成;林昶伸
• 申請（專利權）人: 芯巧科技股份有限公司;梁偉成
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/48;H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 朱麗華

技術領域

本實用新型涉及一種功率電晶體的封裝構造，主要將設置有復數個功率電晶體的基板貼附在承載板上，并對基板進行研磨及切割，以完成功率電晶體的設置。

背景技術

請參閱圖1，為習用功率電晶體的封裝構造的剖面示意圖。如圖所示，功率電晶體的封裝構造100主要包括有一功率電晶體10及一封裝膠體14，其中功率電晶體10主要包括有一基板11，且基板11包括一N+型基板111及一N型磊晶層113，N+型基板111及一N型磊晶層113以層迭的方式設置。

N+型基板111的表面為一汲極12，而N型磊晶層113上摻雜設置有至少一P型井區13。P型井區13內摻雜設置有至少一源極區15，并于源極區15上設置有一源極16。此外N型磊晶層113上還設置有至少一閘極18，并以一絕緣層17隔離N型磊晶層113及閘極18。

藉由上述的構件便已完成功率電晶體10的初步架構，在使用時可透過導線19與汲極12、源極16及閘極18相連接，并可進一步將導線19的另一端與導電架相連接，而有利于進行功率電晶體10的使用，例如在使用時亦可將N+型基板111直接設置在導電架上，并進行導電架與源極16及閘極18的電性連接。此外，在完成上述的連接后可以封裝膠體14包覆功率電晶體10，藉此在功率電晶體10外部形成一保護構造。

對習用的功率電晶體10來說，基板11的厚度H往往必須大于200微米以維持功率電晶體10的結構，并避免功率電晶體10的基板11出現碎裂的情形，然而對功率電晶體10來說厚度H的大小將與其串聯電阻成正比。由于習用的功率電晶體10的厚度H無法縮減，使其串聯電阻無法進一步降低，并容易在使用的過程當中產生較大的熱量。

發明內容

本實用新型的主要目的在于提供一種功率電晶體的封裝構造，主要將功率電晶體與一承載板相連接，并減少功率電晶體的基板厚度，藉此以降低功率功率電晶體的串聯電阻。

本實用新型的次要目的在于提供一種功率電晶體的封裝構造，其中在將功率電晶體與承載板連接后，可進一步對功率電晶體的基板進行研磨，藉此有利于縮小功率電晶體的尺寸。

本實用新型的又一目的在于提供一種功率電晶體的封裝構造，藉由功率電晶體的基板厚度的減少，將有利于降低串聯電阻，并可減少功率電晶體在使用時所產生的熱量。

本實用新型的又一目的在于提供一種功率電晶體的封裝構造，其中功率電晶體的汲極、閘極及源極皆可透過導電層而連接至基板的同一表面，藉此將可以透過表面粘著技術(SMD)進行功率電晶體的設置，并提高功率電晶體在使用時的便利性。

為實現上述目的，本實用新型采取以下設計方案：一種功率電晶體的封裝構造，其包括有：一承載板；一功率電晶體，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以該第一表面的方向與該承載板連接；至少一源極，設置于該基板的第一表面；及至少一閘極，設置于該基板的第一表面。

此外，本實用新型還提供了一種功率電晶體的封裝構造，其包括有：一承載板；一功率電晶體，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以該第一表面的方向與該承載板連接；至少一源極，設置于該基板的第一表面；至少一閘極，設置于該基板的第一表面；及至少一汲極，設置于該基板的第一表面。

本實用新型的優點是：有利于縮小功率電晶體的厚度尺寸，從而進一步降低功率電晶體的串聯電阻，并可減少功率電晶體在使用的過程當中所產生的熱量。

附圖說明

圖1：為習用功率電晶體的封裝構造的剖面示意圖。

圖2：為本實用新型功率電晶體的封裝構造一較佳實施例的剖面示意圖。

圖3：為本實用新型功率電晶體的封裝構造一實施例的剖面示意圖。

圖4：為本實用新型功率電晶體的封裝構造又一實施例的剖面示意圖。

圖5A至圖5E：為本實用新型功率電晶體的封裝方法的流程示意圖。

圖6：為本實用新型功率電晶體又一實施例的封裝方法流程圖。

以下，茲舉本實用新型若干較佳實施例，并配合圖式做進一步詳細說明：

具體實施方式

請參閱圖2，為本實用新型功率電晶體的封裝構造一較佳實施例的剖面示意圖。如圖所示，功率電晶體的封裝構造200包括有一承載板210及一功率電晶體20，其中功率電晶體20包括有一基板21，且該基板21包括有一第一表面211及一第二表面212，并以第一表面211的方向連接承載板210。