[實(shí)用新型]功率電晶體的封裝構(gòu)造無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920216742.2 | 申請(qǐng)日： | 2009-09-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN201514937U | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梁偉成;林昶伸 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 芯巧科技股份有限公司;梁偉成 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/12 | 分類號(hào)： | H01L23/12;H01L23/48;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱麗華 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 電晶體 封裝 構(gòu)造 | ||
1.一種功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于包括有：
一承載板；
一功率電晶體，包括有：
一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以該第一表面的方向與該承載板連接；
至少一源極，設(shè)置于該基板的第一表面；及
至少一閘極，設(shè)置于該基板的第一表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該電晶體的厚度小于100微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該基板包括有至少一穿孔，該穿孔由該第一表面延伸至該第二表面，并于該穿孔內(nèi)設(shè)置有一導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：還包括有至少一電性連接源極及該閘極的導(dǎo)電層，且該導(dǎo)電層由基板的第一表面延伸至第二表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該基板包括有一第一型基板及一第一型磊晶層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該第一型磊晶層內(nèi)設(shè)置有至少一第二型井區(qū)，并于該第二型井區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一第一型源極區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該基板的第二表面為一汲極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該基板的厚度小于100微米。
9.一種功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于包括有：
一承載板；
一功率電晶體，包括有：
一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以該第一表面的方向與該承載板連接；
至少一源極，設(shè)置于該基板的第一表面；
至少一閘極，設(shè)置于該基板的第一表面；及
至少一汲極，設(shè)置于該基板的第一表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該電晶體的厚度小于100微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該電晶體包括有至少一穿孔，該穿孔由該第一表面延伸至該第二表面，并于該穿孔內(nèi)設(shè)置有一導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：包括有至少一電性連接該汲極、該源極及該閘極的導(dǎo)電層，且該導(dǎo)電層由該基板的第一表面延伸至第二表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該基板包括有一第一型基板及一第一型磊晶層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該第一型磊晶層內(nèi)設(shè)置有至少一第二型井區(qū)及至少一第一型汲極區(qū)，并于該第二型井區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一第一型源極區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率電晶體的封裝構(gòu)造，其特征在于：其中該基板的厚度小于100微米。
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