[實用新型]用于切斷芯片內部線路的激光顯微鏡

無效

• 申請號: 200920213713.0
• 申請日: 2009-11-17
• 公開（公告）號: CN201523007U
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 夏宇
• 申請（專利權）人: 宜碩科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;G02B21/00
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

技術領域

本實用新型涉及一種用于切斷芯片內部線路的設備，尤指一種用于切斷芯片內部線路的激光顯微鏡。

背景技術

目前，集成電路芯片在各個領域都有著廣泛的應用，與分立元件電路相比，集成電路芯片電路的修改相對困難，現有的集成電路芯片內部線路的修改采用FIB(聚焦離子束)系統，它的實現方式是用離子束反應集成電路的保護層和金屬來達到線路切斷的目的。

但是，現有的FIB系統處理集成電路芯片的內部線路切斷前需對集成電路芯片做一系列處理，首先將集成電路芯片用導電膠固定于支座，進入反應倉后需要保證反應倉的真空度和高壓電場，需要較長的時間達到合適的真空效果，耗時久，成本高。對于一些粗糙工藝的集成電路芯片做高精度的FIB是成本的浪費。

發明內容

本實用新型的主要目的在于：提供一種快速、低成本的可設用于粗糙工藝的集成電路芯片的切斷芯片內部線路的設備。

為達到上述目的，本實用新型提供一種用于切斷芯片內部線路的激光顯微鏡，其在一顯微鏡上組裝有一激光發射裝置；其中，該顯微鏡具有一放置芯片的工作平臺；激光發射裝置安裝于顯微鏡的上方，其發射的激光可沿顯微鏡的內側射至工作平臺上；

所述激光發射裝置發射激光的能量強度與轟擊時間是可調整的；

所述激光發射裝置為一激光槍。

本實用新型利用顯微鏡確定目標線路位置，方便快捷；且不需要FIB的高真空，高電壓場環境，操作簡易，節約成本，尤其適用于芯片內部線路的大面積處理。

下面結合附圖和實施例對本實用新型做進一步地詳細說明：

附圖說明

圖1為一集成電路芯片的上視圖；

圖2為本實用新型的結構示意圖；以及

圖3為本實用新型的工作狀態示意圖。

具體實施方式

圖1所示為一集成電路芯片40，若對其內部線路的修改不當，則可能要重新制版，重新流片，而制作模板，重新流片的費用昂貴，增加產品研發成本；而使用FIB技術對工作環境要求過高，高真空、高電壓場環境操作復雜，耗費時間，對于粗糙工藝或大面積修改的集成電路芯片而言是成本的浪費。

本實用新型采用了顯微鏡與低能量的激光結合的設備切斷芯片內部線路，如圖2所示，其包含有顯微鏡10以及激光發射裝置20；其中，該顯微鏡10具有一工作平臺30，可供放置待監測的集成電路芯片40；激光發射裝置20安裝于顯微鏡10的上方，其激光發射口可沿顯微鏡的內側對準工作平臺上的集成電路芯片40；本實施例的激光發射裝置為一激光槍。

如圖3所示，通過使用顯微鏡10監測芯片40確定目標線路位置，調整激光發射裝置20對準目標位置發射激光，其發射的激光22沿顯微鏡的內側射至工作平臺上的芯片40，達到快速切斷顯微鏡確定的需切斷的芯片內部線路的目的；激光發射裝置20發射的激光22的能量強度與轟擊時間是可調整的，用不同能量的激光可造成不同范圍的創傷，即可控制芯片內部線路的切斷面積，而通過控制激光轟擊的時間可控制創傷的深度，因集成電路可以是多層次的，即通過激光不同的轟擊時間可控制芯片切斷線路的層次數量。