[實用新型]一種晶片清洗干燥架

無效

• 申請號: 200920209718.6
• 申請日: 2009-09-15
• 公開（公告）號: CN201498504U
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發明（設計）人: 黃維;陳之戰;施爾畏
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;F26B25/00;B08B13/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 許亦琳;余明偉

技術領域

本實用新型涉及一種晶片清洗干燥裝置，尤其涉及一種使晶片在清洗和干燥時不發生面翻轉的晶片清洗干燥架。

背景技術

作為寬禁帶半導體代表的SiC單晶片，由于其為化合物半導體，其(001)方向晶片的上下兩個面分別為Si面和C面，兩個面的物理化學性質不同，在應用中必須嚴格區分不同的晶面，一旦混淆SiC的晶面后，要重新辨別極其困難。實驗室中往往需要使用到各種不同厚度和長度的SiC晶片，而在清洗，沸煮，吹干等步驟中極易發生晶面的混淆，從而使實驗失敗。因此，一種能在清洗、干燥等晶片處理過程中都能保證不同大小形狀晶片方向一致的清洗干燥架成為各個SiC材料器件實驗室所急需的設備。目前存在的晶片清洗架主要為半導體制造工廠用晶片清洗架，這種晶片清洗架僅針對標準尺寸的完整Si晶片(如3英寸、4英寸等)設計，尺寸單一；且Si為非極性單質晶體，其晶片正反兩個面物理化學性質完全一致，不涉及正反面的問題，不適用于SiC單晶片的清洗、干燥。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種使晶片在清洗和干燥時不發生面翻轉的晶片清洗干燥架。

本實用新型的主要方案如下：

一種晶片清洗干燥架，包括基座、方槽和通孔，基座沿豎直方向切去了一部分作為定向面，方槽開在基座上表面，通孔連接方槽，方槽最寬面與基座的定向面平行。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述基座為圓柱體。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述方槽具有不同的長度、寬度和深度，以滿足不同尺寸的晶片的正常使用。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述通孔垂直于方槽底面或側面。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述晶片清洗干燥架還包括與所述基座連接的提桿。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述基座與所述提桿以可拆卸方式連接。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述可拆卸方式連接可以是通過螺紋連接。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述基座和提桿的制備材料宜為耐腐蝕材料。

本實用新型的一個優選實施方案中，所述耐腐蝕材料可以為聚四氟乙烯或有機玻璃。

本實用新型的具體方案如下：

清洗干燥架基座為圓柱形，基座沿豎直方向切去了一部分作為定向面，根據晶片的大小和形狀設計出盛放不同尺寸晶片的方槽，這些方槽為清洗干燥架的基本單元，方槽開在基座上表面，方槽最寬面與基座的定向面平行。方槽尺寸的基本原則是晶片與方槽底面夾角在45°-75°之間；晶片上頂點離方槽頂部距離為2mm-5mm。在以上設計中，晶片在整個清洗過程中將保持斜靠在方槽內壁，與方槽始終只在邊緣有很小的線接觸，這樣能保證整個晶片得到有效的清洗，并且不會在沸煮過程中發生晶面的翻轉。

在每個盛放晶片的方槽底部相連有通孔。通孔截面為圓形，直徑在1.5mm至2.5mm之間。通孔連接各個方槽，在超聲，沸煮等清洗過程中，方槽內的清洗液體介質能有效產生流動，和整個燒杯中的清洗液產生交換，避免了清洗下的顆粒等污物沉積在方槽內對晶片產生二次污染，保證了每個方槽中的晶片都得到有效的清洗。在清洗干燥架從液體介質中取出時，通孔能讓液體介質快速的流出而不在方槽內殘留。

在基座的邊緣對稱地開有兩個螺紋孔，并配有采用聚四氟乙烯制作的相應的螺桿。這樣就能通過螺桿方便地將基座從盛有清洗液的燒杯等容器中取出。

對SiC單晶片進行有效的清洗必須經過以下幾個步驟：(1)四氯化碳超聲清洗，丙酮超聲清洗，硫酸、雙氧水和純水混合溶液的加熱超聲清洗，鹽酸、雙氧水和純水混合溶液的加熱超聲清洗，氨水、雙氧水和純水混合溶液的加熱超聲清洗；(2)氫氟酸刻蝕；(3)純水的沖洗，氮氣吹干；(3)烘箱干燥。在這些過程中涉及硫酸、鹽酸、氫氟酸和氨水等酸堿的腐蝕，選擇聚四氟乙烯作為基座材料能有效的防止這些溶液介質的腐蝕。同時，聚四氟乙烯的正常工作的最高溫度達到250℃，能承受上述清洗過程中涉及的加熱沸煮和烘箱烘烤的溫度。

本實用新型的有益效果是：(1)晶片在整個清洗過程中斜靠在方槽內壁，與方槽只在邊緣處接觸，使整個晶片得到有效清洗，并且不會在沸煮過程中發生晶面的翻轉；(2)方槽連有通孔，使清洗過程中方槽內的清洗液體能有效流動，避免清洗下的顆粒沉積在方槽內對晶片產生二次污染，同時，在清洗結束時能讓清洗液體快速流出方槽；(3)使用提桿可方便地將基座從清洗液中取出。

附圖說明

圖1：本實用新型的結構示意圖。

圖2：方槽斷面圖。

附圖標記：

1：基座

2：方槽