[實用新型]一種硅太陽能電池

無效

• 申請號: 200920201188.0
• 申請日: 2009-11-23
• 公開（公告）號: CN201532955U
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發明（設計）人: 肖劍峰;費宏斌;黃志林;周體
• 申請（專利權）人: 寧波太陽能電源有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0224
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

技術領域

本實用新型涉及一種電池，尤其是涉及一種硅太陽能電池。

背景技術

隨著全球能源的日趨緊張，太陽能以無污染、市場空間大等獨有的優勢受到世界各國的廣泛重視。太陽能的利用方式有多種，包括光能-電能轉換、光能-熱能轉換等。太陽能電池是光能-電能轉換的最典型例子，其是利用半導體材料的光生伏特原理制成的。太陽能電池根據半導體光電轉換材料種類的不同，可分為多種，其中，硅太陽能電池最為常見。

目前，市場上常見的比較成熟的硅太陽能電池如圖1a、圖1b和圖1c所示，該硅太陽能電池包括硅基體1，利用擴散工藝在硅基體1中摻入雜質，如硼、磷等，當摻入硼原子時，硅基體1中就會存在著一個空穴，形成p型半導體82，同樣，摻入磷原子以后，硅基體1中就會存在著一個電子，形成n型半導體81，p型半導體82與n型半導體81結合在一起時，在兩種半導體的交界面區域里形成電勢差，即pn結83，硅基體1的正面通過采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積有一層氮化硅膜2，氮化硅膜2上采用銀漿料絲網印刷有主柵線3和一組均勻分布且與主柵線3相連接的副柵線4，由主柵線3構成正面金屬電極(負電極)，裝配時直接從主柵線3上引出負電極導線，光照下硅太陽能電池產生的電流通過副柵線4再匯聚到主柵線3后導出，在工藝上通常要求副柵線4的間距約3mm及寬度約0.10～0.12mm，硅基體1的背面涂覆有鋁漿料構成鋁背場6，鋁背場6構成背面金屬電極(正電極)，為便于在鋁背場6上引出正電極導線，通常在鋁背場6上采用銀漿料印刷有焊接條7，通過焊接條7引出正電極導線，其中主柵線3、副柵線4及焊接條7均利用銀漿料通過絲網印刷、烘干、快速燒結熱處理等工序制得，這種硅太陽能電池一般要求主柵線3和副柵線4與硅基體1的正面能夠實現良好的歐姆接觸，并同時要求主柵線3和副柵線4盡量的細，以減少主柵線3和副柵線4對太陽入射光的遮擋，增大有效光照面，提高硅太陽能電池的單位面積發電量。但是即使將主柵線做得再細，也還是具有一定的寬度，目前的太陽能電池的主柵線的面積最少也要占總面積的3.5％，因此這種硅太陽能電池未能真正達到有效增大有效光照面的要求。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種能夠很好地增大電池正面有效光照面，提高單位面積的發電量，且結構簡單的硅太陽能電池。

本實用新型解決上述技術問題所采用的技術方案為：一種硅太陽能電池，包括硅基體，所述的硅基體的正面沉積有氮化硅膜，所述的氮化硅膜上設置有一組間距均勻的副柵線，所述的硅基體的背面涂覆有鋁漿料構成鋁背場，所述的鋁背場構成電池的正電極，所述的硅基體的背面設置有與所有所述的副柵線空間相垂直的主柵線，所述的硅基體上設置有多個貫穿所述的硅基體的導電通孔，所述的導電通孔內填充有導電漿料，每根所述的副柵線和所述的主柵線分別連接于所述的導電漿料的兩端，所述的副柵線通過所述的導電漿料與所述的主柵線相互導通，所述的主柵線構成電池的負電極，所述的主柵線的周邊設置有用于隔離所述的鋁背場和所述的主柵線的絕緣槽。

所述的導電漿料為具有良好導電性能的銀漿料。

所述的絕緣槽為在所述的鋁背場上通過激光技術劃片制成。

所述的導電通孔的直徑大于等于所述的副柵線的線徑。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于通過將主柵線設置在硅基體的背面，再在硅基體上設置貫穿硅基體的導電通孔，在導電通孔內填充導電漿料，每根副柵線與主柵線分別連接于導電漿料的兩端，使副柵線與主柵線相互導通，主柵線構成電池的負電極，這樣在光照下硅太陽能電池產生的電流通過副柵線再經過導電通孔內的導電漿料匯聚到主柵線上導出，這種結構的硅太陽能電池由于用于匯聚電流的主柵線設置于硅基體的背面，減少了電池正面的遮光面積，增加了電池正面的有效光照面，從而提高了硅太陽能電池的單位面積發電量。

附圖說明

圖1a為現有的硅太陽能電池的正面結構示意圖；

圖1b為現有的硅太陽能電池的背面結構示意圖；

圖1c為現有的硅太陽能電池的剖視示意圖；

圖2a為本實用新型的硅太陽能電池的正面結構示意圖；

圖2b為本實用新型的硅太陽能電池的背面結構示意圖；

圖2c為本實用新型的硅太陽能電池的剖視示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。