[實用新型]一種硅太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920201188.0
• 申請日: 2009-11-23
• 公開（公告）號: CN201532955U
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖劍峰;費宏斌;黃志林;周體
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波太陽能電源有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0224
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.一種硅太陽能電池，包括硅基體，所述的硅基體的正面沉積有氮化硅膜，所述的氮化硅膜上設(shè)置有一組間距均勻的副柵線，所述的硅基體的背面涂覆有鋁漿料構(gòu)成鋁背場，所述的鋁背場構(gòu)成電池的正電極，其特征在于所述的硅基體的背面設(shè)置有與所有所述的副柵線空間相垂直的主柵線，所述的硅基體上設(shè)置有多個貫穿所述的硅基體的導電通孔，所述的導電通孔內(nèi)填充有導電漿料，每根所述的副柵線和所述的主柵線分別連接于所述的導電漿料的兩端，所述的副柵線通過所述的導電漿料與所述的主柵線相互導通，所述的主柵線構(gòu)成電池的負電極，所述的主柵線的周邊設(shè)置有用于隔離所述的鋁背場和所述的主柵線的絕緣槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅太陽能電池，其特征在于所述的導電漿料為具有良好導電性能的銀漿料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅太陽能電池，其特征在于所述的絕緣槽為在所述的鋁背場上通過激光技術(shù)劃片制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的一種硅太陽能電池，其特征在于所述的導電通孔的直徑大于等于所述的副柵線的線徑。