[實用新型]陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構無效
| 申請號: | 200920188207.0 | 申請日: | 2009-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN201549499U | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發明(設計)人: | 胡建紅 | 申請(專利權)人: | 中外合資江蘇穩潤光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L23/13;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/12;H01L23/34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 大功率 紅綠藍 led 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種LED的封裝結構,尤其涉及一種陶瓷基大功率LED的封裝結構,屬于照明技術領域。
背景技術
目前,白光LED(發光二極管)作為一種新型節能燈光源,以其能耗低、壽命長、亮度高、響應時間短等優點開始得到廣泛的應用。大功率白光LED普遍采用藍色晶片涂敷熒光粉的方法,當熒光粉受藍光激發后發出黃色光,藍光和黃光混合形成白光。此種方法所帶來的不足是無法實現高光效與高顯色性。近來使用RGB(紅、綠、藍)三原色晶片發出的紅、綠、藍三種光混合成白光,但傳統結構封裝的RGB大功率晶片,又帶來混色不均的缺陷。因此,提供一種新型封裝結構的紅綠藍LED解決混色不均的缺陷尤為重要。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種紅綠藍LED的封裝結構,此種封裝結構能避免傳統封裝結構存在的混色不均缺陷。
本實用新型的目的通過以下技術方案予以實現:
一種陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構,包括陶瓷基板1、紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4、金線6、散熱熱沉8,電路及反射層10通過蝕刻鍍銀方式設置在陶瓷基板1之上,散熱熱沉8位于陶瓷基板1下側的固晶區域,所述三種晶片通過金線6分別連接到陶瓷基板1的電路上;所述陶瓷基板1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7,高導熱銀膠5將紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體7之中,反射腔體7內注入透明硅膠9覆蓋金線6和所述三種晶片,6只引腳10分別設置在陶瓷基板1的邊緣。
本實用新型的目的還可以通過以下技術措施進一步予以實現:
前述的陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構,其中所述陶瓷基板1的厚度為0.5~1mm,長、寬為3~5mm;所述陶瓷基板1的導熱率為170w/m.K以上,銀膠5導熱率為20w/m.K以上。
本實用新型的有益效果是:由于本實用新型的陶瓷基板分二層壓合形成凹杯形反射腔體7,紅、綠、藍晶片側部所發出的光通過反射腔體從正向射出,能充分混合紅、綠、藍三基色,出光均勻,避免了傳統封裝結構混光不均勻現象。由于本實用新型陶瓷基板的導熱率高達170w/m.K以上,且陶瓷基板下設有高導熱率的銅質或鋁質的散熱熱沉,有利于大功率晶片的散熱。陶瓷基板熱形變系數極低,可切割成厚度在0.5~1mm,長寬在3~5mm的微小的單個發光單元,易于實現微型化。
附圖說明
圖1是本實用新型的俯視結構示意圖;
圖2是圖1的A-A剖視圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。
如圖1、圖2所示,本實用新型包括陶瓷基板1、邊長在30mil(1mil=1/1000英寸=0.0254mm)以上的紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4、金線6、散熱熱沉8,電路及反射層10通過蝕刻鍍銀方式設置在陶瓷基板1之上,散熱熱沉8位于陶瓷基板1下側的固晶區域,紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4分別用金線6焊接到陶瓷基板1的電路上,6只引腳10分別設置在陶瓷基板1的邊緣,分開單獨控制紅、綠、藍三種顏色的發光晶片。陶瓷基板1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7,紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4側部所發出的光通過反射腔體7從正向射出,能充分混合紅、綠、藍三基色,出光均勻,混光效果好。高導熱銀膠5將紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體7之中,反射腔體7內注入透明硅膠9覆蓋金線6和紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4,并進行烘烤固化,紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4三種晶片發光經充分混合形成白光,也可根據發光顏色需求,調節紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4三種晶片的驅動電流,混合成不同的顏色。
本實用新型采用的陶瓷基板導熱率高達170w/m.K以上,銀膠導熱率達到20w/m.k,有利于大功率晶片的散熱。并且陶瓷基板熱形變系數極低,可將本實用新型其切割成厚度在0.5~1mm,長寬尺寸在3~5mm的微小的單個發光單元,易于實現紅綠藍LED產品的微型化。
除上述實施例外,本實用新型還可以有其他實施方式,凡采用等同替換或等效變換形成的技術方案,均落在本實用新型要求的保護范圍內。
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