[實(shí)用新型]一種氮化鋁衰減片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920163296.3
• 申請(qǐng)日: 2009-07-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201478422U
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉汛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市禹龍通電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01P1/22
• 分類(lèi)號(hào): H01P1/22
• 代理公司: 北京英特普羅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11015
• 代理人: 孫麗芳

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種微波射頻領(lǐng)域內(nèi)使用的標(biāo)準(zhǔn)元器件，尤其涉及一種氮化鋁衰減片。

背景技術(shù)

射頻電阻被廣泛應(yīng)用在微波射頻領(lǐng)域，由于衰減片的衰減特性會(huì)受溫度的影響，因此，為了保證衰減片具有較好的穩(wěn)定性，需要具有較好的散熱性，現(xiàn)有衰減片的結(jié)構(gòu)相對(duì)比較集中，因此不易于散熱。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有衰減片存在的缺點(diǎn)，提供一種便于散熱的衰減片。

本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為：一種氮化鋁衰減片，包括陶瓷基體、陶瓷封帽和安裝法蘭，所述陶瓷基體固定連接在安裝法蘭上；其特征在于：所述陶瓷基體為氮化鋁陶瓷基體；電阻漿料形成的電阻體和導(dǎo)體漿料形成的導(dǎo)體連接于所述陶瓷基體和陶瓷封帽之間；所述電阻體包括孤立的主電阻體，所述主電阻體通過(guò)所述導(dǎo)體分別與第一引線(xiàn)和第二引線(xiàn)電連接。

優(yōu)選地，所述電阻體還包括第一副電阻體和第二副電阻體，所述導(dǎo)體包括第一分支導(dǎo)體、第二分支導(dǎo)體、第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體；所述主電阻體在一側(cè)通過(guò)第一分支導(dǎo)體的一個(gè)分支與第一引線(xiàn)電連接，在另一側(cè)通過(guò)第二分支導(dǎo)體的一個(gè)分支與第二引線(xiàn)電連接；所述第一副電阻體在一側(cè)通過(guò)第一分支導(dǎo)體的另一分支與第一引線(xiàn)電連接，在另一側(cè)與第一導(dǎo)體電連接，所述第一導(dǎo)體在未與第一副電阻體電連接的位置接地；所述第二副電阻體在一側(cè)通過(guò)第二分支導(dǎo)體的另一分支與主電阻體電連接，在另一側(cè)與第二導(dǎo)體電連接，所述第二導(dǎo)體在未與第二副電阻體電連接的位置接地。

優(yōu)選地，所述第一和第二導(dǎo)體均為豎直長(zhǎng)條狀，分別位于陶瓷基體的兩側(cè)，所述第一導(dǎo)體的外邊緣與陶瓷基體的一個(gè)外邊緣平齊，所述第二導(dǎo)體的外邊緣與陶瓷基體的另一個(gè)外邊緣臨近。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體的長(zhǎng)度與陶瓷基體的寬度相等。

本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型所述氮化鋁衰減片，其電阻體設(shè)置一個(gè)孤立的主電阻體，用于衰減一部分輸入射頻信號(hào)，并將衰減后的信號(hào)通過(guò)第二引線(xiàn)輸出；另外，通過(guò)設(shè)置副電阻體分流一部分輸入射頻信號(hào)，因此可以在電阻體的每個(gè)分離部分阻值較小的情況下，即可得到較強(qiáng)的衰減作用，該種分散式設(shè)置有利于散熱。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型所述氮化鋁衰減片的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示氮化鋁衰減片的連接結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。

一種氮化鋁衰減片，包括陶瓷基體5、陶瓷封帽1和安裝法蘭6，所述陶瓷基體5固定連接在安裝法蘭6上。所述陶瓷基體5為氮化鋁陶瓷基體。電阻漿料形成的電阻體4和導(dǎo)體漿料形成的導(dǎo)體3連接于所述陶瓷基體5和陶瓷封帽1之間。所述電阻體4如圖2所示，包括孤立的主電阻體43，所述主電阻體43通過(guò)所述導(dǎo)體3分別與第一引線(xiàn)21和第二引線(xiàn)22電連接，其中第一引線(xiàn)21和第二引線(xiàn)22分別用于輸入/輸出信號(hào)和輸出/輸入信號(hào)。

如圖2所示，所述電阻體4還包括第一副電阻體41和第二副電阻體42，所述導(dǎo)體4包括第一分支導(dǎo)體32、第二分支導(dǎo)體33、第一導(dǎo)體31和第二導(dǎo)體34。所述主電阻體43在一側(cè)通過(guò)第一分支導(dǎo)體32的一個(gè)分支與第一引線(xiàn)21電連接，在另一側(cè)通過(guò)第二分支導(dǎo)體33的一個(gè)分支與第二引線(xiàn)22電連接。所述第一副電阻體41在一側(cè)與通過(guò)第一分支導(dǎo)體32的另一分支與第一引線(xiàn)21電連接，在另一側(cè)與第一導(dǎo)體31電連接，所述第一導(dǎo)體31在未與第一副電阻體41電連接的位置接地。所述第二副電阻體42在一側(cè)通過(guò)第二分支導(dǎo)體33的另一分支與主電阻體43電連接，在另一側(cè)與第二導(dǎo)體34電連接，所述第二導(dǎo)體34在未與第二副電阻體42電連接的位置接地。

其中，所述第一導(dǎo)體31和第二導(dǎo)體34可以均為豎直長(zhǎng)條狀，分別位于陶瓷基體5的兩側(cè)，所述第一導(dǎo)體31的外邊緣可與陶瓷基體5的一個(gè)外邊緣平齊，所述第二導(dǎo)體34的外邊緣可接近于陶瓷基體5的另一個(gè)外邊緣。

所述第一導(dǎo)體31和第二導(dǎo)體34的長(zhǎng)度可與陶瓷基體5的寬度相等。

所述第一分支導(dǎo)體32和第二分支導(dǎo)體33的兩個(gè)分支可以彼此垂直。

綜上所述僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例，并非用來(lái)限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍。即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍的內(nèi)容所作的等效變化及修飾，皆應(yīng)屬于本實(shí)用新型的技術(shù)范疇。