[實用新型]一種氮化鋁衰減片

有效

• 申請號: 200920163296.3
• 申請日: 2009-07-02
• 公開（公告）號: CN201478422U
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 劉汛
• 申請（專利權）人: 深圳市禹龍通電子有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 孫麗芳

1.一種氮化鋁衰減片，包括陶瓷基體、陶瓷封帽和安裝法蘭，所述陶瓷基體固定連接在安裝法蘭上；其特征在于：所述陶瓷基體為氮化鋁陶瓷基體；電阻漿料形成的電阻體和導體漿料形成的導體連接于所述陶瓷基體和陶瓷封帽之間；所述電阻體包括孤立的主電阻體，所述主電阻體通過所述導體分別與第一引線和第二引線電連接。

2.根據權利要求1所述的一種氮化鋁衰減片，其特征在于：所述電阻體還包括第一副電阻體和第二副電阻體，所述導體包括第一分支導體、第二分支導體、第一導體和第二導體；所述主電阻體在一側通過第一分支導體的一個分支與第一引線電連接，在另一側通過第二分支導體的一個分支與第二引線電連接；所述第一副電阻體在一側通過第一分支導體的另一分支與第一引線電連接，在另一側與第一導體電連接，所述第一導體在未與第一副電阻體電連接的位置接地；所述第二副電阻體在一側通過第二分支導體的另一分支與主電阻體電連接，在另一側與第二導體電連接，所述第二導體在未與第二副電阻體電連接的位置接地。

3.根據權利要求2所述的一種氮化鋁衰減片，其特征在于：所述第一和第二導體均為豎直長條狀，分別位于陶瓷基體的兩側，所述第一導體的外邊緣與陶瓷基體的一個外邊緣平齊，所述第二導體的外邊緣與陶瓷基體的另一個外邊緣臨近。

4.根據權利要求3所述的一種氮化鋁衰減片，其特征在于：所述第一導體和第二導體的長度與陶瓷基體的寬度相等。