[實用新型]單腔雙線式真空裝置無效
| 申請號: | 200920156151.0 | 申請日: | 2009-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN201425936Y | 公開(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發明(設計)人: | 黃泳釗;鄭博仁 | 申請(專利權)人: | 北儒精密股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國商標專利事務所有限公司 | 代理人: | 萬學堂;桑麗茹 |
| 地址: | 臺灣省臺南*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙線 真空 裝置 | ||
1.一種單腔雙線式真空裝置,用來移送一個加工物件,并包括:一個基座、兩個傳送機構,以及一個和基座并靠連接的連接機構,該基座包括一個界定出一腔室的腔壁,上述腔壁具有一個第一壁部及一個第二壁部;
其特征在于:該真空裝置還包括一個安裝在該基座的腔室內并且將該腔室分隔成一個靠近第一壁部的第一通道,以及一個靠近第二壁部的第二通道的冷卻區隔單元,上述第一通道及第二通道都各別具有一個入口端及一個出口端,而所述輸送機構是分別安裝在第一通道及第二通道內,并且將加工物件由入口端往出口端移送,該連接機構是將由第一通道的出口端送出的加工物件移送到第二通道的入口端。
2.如權利要求1所述的單腔雙線式真空裝置,其特征在于:該基座還包括數個連接在第一壁部及第二壁部間的區隔壁,而該冷卻區隔單元包括數個架設在相對應的區隔壁間的冷卻隔座,所述區隔壁都具有兩個分別位在冷卻隔座相反側的閥門。
3.如權利要求2所述的單腔雙線式真空裝置,其特征在于:上述冷卻隔座都具有兩片分別橫向架設在基座的區隔壁間的側板,以及一個圍繞并連接側板同時和側板共同界定出一個冷卻室的連接圍板,每個冷卻隔座的連接圍板都具有一個上壁部,以及一個下壁部,而所述冷卻隔座還具有數個由該上壁部往下延伸的第一隔板,以及數個由下壁部往上延伸的第二隔板,每個第一隔板到下壁部間都具有一個第一通口,而所述第二隔板到上壁部間都具有一個第二通口,又前述第二隔板是分別位在兩兩相鄰的第一隔板間,借此構成一條迂回的水道。
4.如權利要求3所述的單腔雙線式真空裝置,其特征在于:該冷卻隔座還具有一個安裝在上、下壁部間的入水管,以及一支安裝在上、下壁部間并且和入水管間隔的出水管。
5.如權利要求1或4所述的單腔雙線式真空裝置,其特征在于:該連接機構是一種平移的設計,并包括一個和基座接連的連接腔體、一個架設在該連接腔體內部的平移單元,以及一個架設在該平移單元上并將加工物件往一平移方向移送的連接承座。
6.如權利要求1或4所述的單腔雙線式真空裝置,其特征在于:該連接機構是一種回轉式的設計,并包括一個中空的連接腔體、一個可轉動地架設在該連接腔體內部的回轉座,以及至少一個安裝在該回轉座上并可將由其中一個輸送機構送出的加工物件往另一個輸送機構移送的連接承座。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





