[實用新型]陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件

無效

• 申請號: 200920152931.8
• 申請日: 2009-05-20
• 公開（公告）號: CN201509184U
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 姚一濱
• 申請（專利權）人: 上海晶賽電子有限公司
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 上海天協和誠知識產權代理事務所 31216
• 代理人: 張恒康

1.一種陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，包括上蓋板、下蓋板和晶片，在下蓋板的內側開有下蓋板凹坑，晶片以導電膠固定位于下蓋板凹坑中，其特征在于該頻率器件的空腔由上蓋板、下蓋板凹坑組成，下蓋板凹坑的長度和寬度大于晶片的長度和寬度，下蓋板凹坑的深度大于晶片厚度；同時該頻率器件還包括內電極和外電極，外電極位于下蓋板外側面上，內電極位于下蓋板內側面的凹坑兩側。

2.根據權利要求1所述的陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，其特征在于，所述頻率器件的上蓋板和下蓋板的長寬尺寸完全一致，且相對位置完全重合；同時，頻率器件的端頭棱邊均設有圓弧倒角，以保證內電極引出后與外電極連接可靠。

3.根據權利要求1所述的陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，其特征在于，所述該頻率器件的上蓋板上開有上蓋板凹坑；上蓋板凹坑的長度和寬度大于下蓋板凹坑的長度和寬度。

4.根據權利要求1所述的陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，其特征在于，所述下蓋板凹坑包括上凹坑和下凹坑，所述上凹坑的長度和寬度大于下凹坑的長度和寬度。

5.根據權利要求4所述的陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，其特征在于，所述下凹坑內有二處突起的支架，該支架的高度小于下凹坑的深度，支架長度方向的距離小于石英晶片長度。

6.根據權利要求4所述的陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，其特征在于，該頻率器件下蓋板內側內電極處設有電極凹坑，電極凹坑中用銀漿印刷制備附加內電極，電極凹坑的深度不小于附加內電極的厚度。

7.根據權利要求1所述的陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，特征在于，所述下蓋板由一底板和一孔板粘結而成，孔板中間的通孔和底板共同構成下蓋板凹坑。

8.根據權利要求7所述的陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件，特征在于，所述下蓋板內中部表面設有內凹坑、四周設有防溢凹坑；所述內凹坑的長度和寬度小于石英晶片的長度和寬度，而防溢凹坑圍繞著石英晶片；同時下蓋板的防溢凹坑的外側位置上還設有電極凹坑，電極凹坑中有用銀漿印刷制備內電極，電極凹坑的深度不小于內電極的厚度。