[實(shí)用新型]低頻磁場發(fā)射電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920136040.3
• 申請日: 2009-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN201383077Y
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王俊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市航盛電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G05B15/02
• 分類號(hào): G05B15/02;H04B1/04
• 代理公司: 廣東星辰律師事務(wù)所
• 代理人: 李啟首

1、低頻磁場發(fā)射電路，其應(yīng)用于包括基站和應(yīng)答器的車用免持式被動(dòng)無鑰門禁系統(tǒng)中，該電路包括：

MCU；

穩(wěn)壓模塊，其與MCU連接，向MCU提供檢測電壓；

包含多個(gè)電感的LC諧振回路，其受MCU的激勵(lì)發(fā)射電磁波；

其特征在于，所述低頻磁場發(fā)射電路，進(jìn)一步包括：

電流傳感器，其檢測穩(wěn)壓模塊輸出的電流信號(hào)，向MCU輸出檢測結(jié)果，并將取樣采集到的穩(wěn)壓模塊的電壓輸出給MCU檢測；

CMOSFET，其由穩(wěn)壓模塊提供驅(qū)動(dòng)電壓，并根據(jù)MCU的命令驅(qū)動(dòng)LC諧振回路輪循發(fā)射電磁波。

2、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：

所述穩(wěn)壓模塊通過分壓電阻(R4)和分壓電阻(R5)與MCU連接。

3、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：

所述穩(wěn)壓模塊經(jīng)第一電阻(R6)與電流傳感器的輸入端連接。

4、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：

所述電流傳感器的輸出端經(jīng)一嵌位二極管連接到電源。

5、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：

所述CMOSFET為四通道CMOSFET。

6、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：

所述LC諧振回路為對稱結(jié)構(gòu)。

7、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：

所述LC諧振回路還包括兩組電容，第一組電容(C36、C16、C20、C23)將MCU輸出的方波整成類正弦波，第二組電容(C38、C18、C21、C25)補(bǔ)償調(diào)整諧振電容值。