[實用新型]低頻磁場發(fā)射電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920136040.3 | 申請日： | 2009-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN201383077Y | 公開（公告）日： | 2010-01-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王俊杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市航盛電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G05B15/02 | 分類號： | G05B15/02;H04B1/04 |
| 代理公司： | 廣東星辰律師事務(wù)所 | 代理人： | 李啟首 |
| 地址： | 518103廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 低頻 磁場 發(fā)射 電路 | ||
1、低頻磁場發(fā)射電路，其應(yīng)用于包括基站和應(yīng)答器的車用免持式被動無鑰門禁系統(tǒng)中，該電路包括：
MCU；
穩(wěn)壓模塊，其與MCU連接，向MCU提供檢測電壓；
包含多個電感的LC諧振回路，其受MCU的激勵發(fā)射電磁波；
其特征在于，所述低頻磁場發(fā)射電路，進一步包括：
電流傳感器，其檢測穩(wěn)壓模塊輸出的電流信號，向MCU輸出檢測結(jié)果，并將取樣采集到的穩(wěn)壓模塊的電壓輸出給MCU檢測；
CMOSFET，其由穩(wěn)壓模塊提供驅(qū)動電壓，并根據(jù)MCU的命令驅(qū)動LC諧振回路輪循發(fā)射電磁波。
2、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：
所述穩(wěn)壓模塊通過分壓電阻(R4)和分壓電阻(R5)與MCU連接。
3、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：
所述穩(wěn)壓模塊經(jīng)第一電阻(R6)與電流傳感器的輸入端連接。
4、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：
所述電流傳感器的輸出端經(jīng)一嵌位二極管連接到電源。
5、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：
所述CMOSFET為四通道CMOSFET。
6、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：
所述LC諧振回路為對稱結(jié)構(gòu)。
7、如權(quán)利要求1所述低頻磁場發(fā)射電路，其特征在于：
所述LC諧振回路還包括兩組電容，第一組電容(C36、C16、C20、C23)將MCU輸出的方波整成類正弦波，第二組電容(C38、C18、C21、C25)補償調(diào)整諧振電容值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市航盛電子股份有限公司，未經(jīng)深圳市航盛電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920136040.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
