[實用新型]一種半導體二極管芯片

有效

• 申請號: 200920135350.3
• 申請日: 2009-03-03
• 公開（公告）號: CN201383498Y
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 曾國修
• 申請（專利權）人: 百圳君耀電子(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種半導體二極管芯片，具體地說是一種低壓瞬態電壓抑制二極管芯片。

背景技術

目前，玻璃鈍化半導體二極管芯片的玻璃涂覆方式多為用刀刮法將玻璃漿均勻的涂敷到光刻后硅片PN結臺面溝槽中，然后通過預燒、熔融的方法將玻璃漿熔融成玻璃，起到鈍化保護PN結的作用。這種工藝可在2007年9月19日公開的發明專利CN101038892A中進行了描述，此工藝為溝槽蝕刻、玻璃漿配制、刮涂方法及后續玻璃預燒熔融。傳統使用的二極管結構為單一凹槽的臺面結構，這也是整流二極管領域玻璃鈍化二極管芯片所普遍采用的芯片結構，此結構中的玻璃層按照其在器件中的作用可分為有效鈍化玻璃，與無鈍化效果多余玻璃。瞬態電壓抑制二極管玻璃鈍化芯片也多采用此芯片結構，在實際生產中存在低壓二極管芯片產品良率較低，漏電流偏大及在電路應用中失效比例偏高等不良現象，其原因之一是由于芯片的PN結過淺，用刀刮法涂敷及熔融燒結后的玻璃，其有效部分在PN結表面附近處包裹并不理想，或有效包覆玻璃厚度太薄易于在后續金屬化等處理過程中造成有效鈍化玻璃層損傷，從而使器件存在缺陷而容易失效。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種提高產品良品率和可靠性的半導體二極管芯片。

本實用新型的目的通過以下技術方案來實現。

一種半導體二極管芯片，包括二極管芯片本體，其特征在于：所述二極管芯片本體上依次設有氧化層與玻璃鈍化保護層。

所述二極管芯片本體上設有臺階。

所述臺階與臺面之間的高度為5～20um。

所述二極管芯片臺階處PN結深大于臺面處PN結深，其結深比為1.1-2。

本實用新型與現有技術相比具有以下優點。

本實用新型提供的二極管芯片，從結構上為氧化層加玻璃層兩層鈍化保護，且增加一個臺階結構，臺階高度優先選擇5-20um。此結構設計在實際生產中可以很好的解決低壓淺結產品因鈍化層玻璃包覆不好而造成的器件不穩定現象，提高器件的產品良品率和產品可靠性，并使生產工藝更穩定且易于控制。同時由于臺階處的PN結深大于臺面處的PN結深，可大幅提升產品的可靠性。

附圖說明

圖1為本實用新型半導體二極管芯片的結構示意圖；

圖2為本實用新型半導體二極管芯片中A處的局部放大結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型半導體二極管芯片作進一步詳細描述。

如圖1所示，本實用新型所述低壓瞬態電壓抑制二極管芯片包括二極管芯片本體1，二極管芯片本體上依次設有熱氧化氧化層2與玻璃鈍化保護層3，低壓瞬態電壓抑制二極管芯片由熱氧化氧化層加玻璃層兩層鈍化保護。二極管芯片本體上設有臺階4，二極管芯片的PN結5位于近臺階臺處的結深H1與位于臺面處的結深H之比優先選擇1.1～2，臺階高度優先選擇5-20um。由于臺階處比臺面低，因而在刀刮玻璃過程中，此處會留有一定厚度的玻璃漿，此部分玻璃漿會與二極管芯片本體上的溝槽中的玻璃漿連同在一起，玻璃熔融燒結后對PN結表面進行鈍化保護，因此相比傳統溝槽結構的有效的鈍化玻璃層對近臺面拐角處PN結表面包裹更厚且更完好，在后續的處理過程中不易受到酸溶液的腐蝕損傷而致使玻璃鈍化失效。