[實用新型]一種半導體二極管芯片有效
| 申請號： | 200920135350.3 | 申請日： | 2009-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN201383498Y | 公開（公告）日： | 2010-01-13 |
| 發明（設計）人： | 曾國修 | 申請（專利權）人： | 百圳君耀電子(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L23/28 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000廣東省深圳市龍崗區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 二極管 芯片 | ||
【權利要求書】：
1、一種半導體二極管芯片，包括二極管芯片本體，其特征在于：所述二極管芯片本體上依次設有氧化層與玻璃鈍化保護層。
2、根據權利要求1所述的半導體二極管芯片，其特征在于：所述二極管芯片本體上設有臺階。
3、根據權利要求1所述的半導體二極管芯片，其特征在于：所述臺階與臺面之間的高度為5～20um。
4、根據權利要求1所述的半導體二極管芯片，其特征在于：所述二極管芯片臺階處PN結深大于臺面處PN結深，其結深比為1.1-2。
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