[實用新型]監控靶面狀態的裝置

無效

• 申請號: 200920135194.0
• 申請日: 2009-03-11
• 公開（公告）號: CN201305626Y
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 徐日宏
• 申請（專利權）人: 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/35
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所
• 代理人: 胡吉科

技術領域

本實用新型涉及一種鍍膜靶面監控裝置，尤其涉及一種對磁控濺射鍍膜靶面進行監控的裝置。

背景技術

鍍膜玻璃如今已廣泛應用于觸摸屏領域和液晶顯示領域，玻璃鍍膜技術也日新月異。磁控濺射鍍膜廣泛應用于玻璃鍍膜，特別是在大面積玻璃鍍膜工業上，是主要鍍膜方式。但是，磁控濺射鍍膜技術中，要控制反應濺射，就要控制反應氣體的流量。常用的控制方式有“中毒模式”、電壓控制等。而大面積玻璃鍍膜對膜層的均勻性要求很高，尤其是高端產品像觸摸屏用高透ITO玻璃，對方阻、透過率、色差等都要求大面積的均勻。“中毒模式”下反應濺射速率很低，不適于多層膜的量產。而電壓控制也只是配合二進制設計得布氣方式單點控制靶面狀態，對于大尺寸鍍膜玻璃來說，明顯不能實現整體均勻性。

實用新型內容

本實用新型解決的技術問題是：克服現有磁控濺射鍍膜技術中，不能精確控制反應氣體的流量從而導致鍍膜玻璃的鍍膜不均勻，特別是大尺寸鍍膜玻璃鍍膜不均勻的技術問題。

本實用新型提供的解決技術問題的技術方案是：構建一種監控靶面狀態的裝置，包括檢測等離子體表面光強的光纖系統、光電倍增器、磁控濺射陰極，還包括監控鍍膜靶面狀態的等離子光譜監控(Plasma?EmissionMonitor，簡稱PEM)系統以及控制反應氣體的氣體控制系統，所述等離子光譜監控系統根據光纖系統傳輸的監控信號向氣體控制系統發出指令控制壓電閥的開度，從而控制反應氣體流量。

本實用新型解決技術問題的進一步技術方案是：所述等離子光譜監控系統包括信息接收模塊和信息處理模塊，所述信息接收模塊接收光電倍增器傳輸來的光纖系統檢測的等離子體表面光強的信息，所述信息處理模塊對所述信息接收模塊接收的信息進行分析處理。

本實用新型解決技術問題的進一步技術方案是：所述氣體控制系統的氣管為二進制分布，所述二進制分布的氣管在磁控濺射陰極末端和中間部分分別控制。

本實用新型解決技術問題的進一步技術方案是：所述控制磁控濺射陰極末端和中間部分氣管的裝置為壓電閥門。

本實用新型解決技術問題的進一步技術方案是：所述磁控濺射陰極中間部分的氣管分布為多層。

本實用新型解決技術問題的進一步技術方案是：所述多層氣管分布為二進制分布，即第一層分隔成2¹個獨立空間，由2¹個進氣管分別供氣，第二層分隔成2²個獨立空間，由2²個進氣管分別供氣，依次類推，至符合氣體控制系統需要為止。

本實用新型技術方案的技術效果是：通過構建一種監控靶面狀態的裝置，通過設置等離子光譜監控系統的信息接收模擬接收光電倍增器傳輸來的光纖系統檢測的信息，由等離子光譜監控系統的信息處理模塊進行分析處理，發出指令給氣體控制系統進行氣體控制，從而達到精確控制氣體流量，使鍍膜工藝更加穩定。

附圖說明

圖1為本實用新型連接結構示意圖。

圖2為本實用新型等離子光譜監控系統模塊結構示意圖

圖3為本實用新型氣管分布結構示意圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本實用新型技術方案進行進一步說明：

如圖1所示，本實用新型構建一種監控靶面狀態的裝置，包括檢測等離子體表面光強的光纖系統2、光電倍增器3、磁控濺射陰極1，還包括監控鍍膜靶面狀態的等離子光譜監控系統4以及控制反應氣體的氣體控制系統5，所述等離子光譜監控系統4根據光纖系統2傳輸的監控信號向氣體控制系統5發出指令控制反應氣體流量。

如圖1和圖2所示，光纖系統2將監控到的磁控濺射陰極1靶面的狀態信息經光電倍增器3放大后傳輸給等離子光譜監控系統4，光譜監控系統4中的信息接收模塊41接收光電倍增器3傳輸的信息，然后傳輸給信息處理模塊42，由信息處理模塊42進行分析處理，信息處理模塊42根據分析結果與預設值進行比較，通過比較結果向氣體控制系統5發出控制指令，控制氣體的流量。