[實用新型]監控靶面狀態的裝置無效
| 申請號: | 200920135194.0 | 申請日: | 2009-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN201305626Y | 公開(公告)日: | 2009-09-09 |
| 發明(設計)人: | 徐日宏 | 申請(專利權)人: | 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/35 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識產權事務所 | 代理人: | 胡吉科 |
| 地址: | 518000廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 監控 狀態 裝置 | ||
1.一種監控靶面狀態的裝置,包括檢測等離子體表面光強的光纖系統、光電倍增器、磁控濺射陰極,其特征在于:還包括監控鍍膜靶面狀態的等離子光譜監控系統以及控制反應氣體的氣體控制系統,所述等離子光譜監控系統根據光纖系統傳輸的監控信號向氣體控制系統發出指令控制壓電閥的開度,從而控制反應氣體流量。
2、根據權利要求1所述的監控靶面狀態的裝置,其特征在于,所述等離子光譜監控系統包括信息接收模塊和信息處理模塊,所述信息接收模塊接收光電倍增器傳輸來的光纖系統檢測的等離子體表面光強的信息,所述信息處理模塊對所述信息接收模塊接收的信息進行分析處理。
3、根據權利要求1所述的監控靶面狀態的裝置,其特征在于,所述氣體控制系統的氣管為二進制分布,所述二進制分布的氣管在磁控濺射陰極末端和中間部分分別控制。
4、根據權利要求3所述的監控靶面狀態的裝置,其特征在于,所述控制磁控濺射陰極末端和中間部分氣管的裝置為壓電閥門。
5、根據權利要求3所述的監控靶面狀態的裝置,其特征在于,所述磁控濺射陰極中間部分的氣管分布為多層。
6、根據權利要求5所述的監控靶面狀態的裝置,其特征在于,所述多層氣管分布為二進制分布,即第一層分隔成21個獨立空間,由21個進氣管分別供氣,第二層分隔成22個獨立空間,由22個進氣管分別供氣,依次類推,至符合氣體控制系統需要為止。
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