[實用新型]LED發(fā)光結構

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920131815.8
• 申請日: 2009-05-13
• 公開（公告）號: CN201425186Y
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設計）人: 黃建中
• 申請（專利權）人: 弘凱光電(深圳)有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V7/04;F21V9/10;F21V29/00;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所
• 代理人: 張全文

技術領域

本實用新型涉及LED發(fā)光技術領域，尤其涉及一種LED發(fā)光結構。

背景技術

LED(Light?Emitting?Diode)，即發(fā)光二極管，是一種半導體固體發(fā)光器件。它是利用固體半導體芯片作為發(fā)光材料。當兩端加上正向電壓，半導體中的少數(shù)截流子和多數(shù)截流子發(fā)生復合，放出過剩的能量而引起光子發(fā)射，直接發(fā)出紅、橙、黃、綠、青、藍、紫、白色的光。LED光源由于具有高節(jié)能、壽命長、利于環(huán)保等優(yōu)點，實際上，自LED問世以來，LED的應用面越來越廣泛，其環(huán)保節(jié)能之優(yōu)點使得LED被視為21世紀之主要照明光源之一。

LED不僅僅是應用于照明方面，其在裝飾方面一直扮著很重要的角色，隨著人們生活水平的提高，對LED色彩的要求也越來越高，這使LED的顯色性，色彩有了更高的要求。

為了在照明市場占得一席之地，不同封裝類型的白光LED在市場上不斷出現(xiàn)。隨著LED的大量應用，LED的需要量逐漸增大，其中高功率LED也隨著照明的需要而而受到越來越多的關注。如何提高LED的功率以及如何解決高功率LED的散熱問題一直都是LED開發(fā)的一個重要課題。就照明模塊而言，發(fā)光功率、散熱性能、出光效率以及白色純度都是設計者所關心的焦點。在以往的白光照明模塊中，都是通過低波長芯片如藍光或紫光芯片激發(fā)熒光材料而發(fā)出白光，傳統(tǒng)以點膠方式以熒光材料包裹芯片，熒光材料包裹芯片之厚度不一致，從而使其發(fā)光光斑不均勻，且在極大的影響了出光效率。在傳統(tǒng)的支架中當芯片發(fā)光時，有正面發(fā)出光線和側面發(fā)出的光線，正面發(fā)出的光線激發(fā)熒光材料層后射出封裝體外，側面發(fā)出的光線會激發(fā)底部的熒光材料，經(jīng)反射后射出封裝體外和正面發(fā)出的光線相迭加從而形成黃圈。如何改善黃圈這一缺點成為一個亟待解決的問題。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供一種能夠有效改善黃圈的LED發(fā)光結構。

一種LED發(fā)光結構，其包括支架和發(fā)光芯片，所述支架具有一支撐面，所述發(fā)光芯片設于所述支撐面上，所述支撐面在包圍所述發(fā)光芯片的部分設有溝槽，所述溝槽環(huán)繞于所述發(fā)光芯片周圍。

優(yōu)選地，所述溝槽的深度和寬度尺寸構造成為使得由所述發(fā)光芯片側面發(fā)出的光反射進入溝槽內再經(jīng)過多次反射后發(fā)出。

優(yōu)選地，所述溝槽的深度和寬度之比大于所述發(fā)光芯片高度與所述溝槽和發(fā)光芯片側面間距離之比。

更優(yōu)選地，所述溝槽的至少一槽壁具有凹凸結構。

進一步地，所述支架包括架體和芯片載體，所述架體設有中空孔洞，所述芯片載體設于所述中空孔洞中，所述芯片載體是由導熱性材料制成，所述發(fā)光芯片設于芯片載體表面上。

進一步地，所述發(fā)光芯片上覆蓋有熒光材料，所述支架上覆蓋有透明膠體，所述透明膠體覆蓋熒光材料以及溝槽。

更進一步地，所述熒光材料在芯片表面形成有熒光材料沉淀層。

進一步地，所述溝槽靠外側的槽壁不低于其靠內側的槽壁。所述溝槽呈方形或圓形環(huán)繞于所述發(fā)光芯片的周圍。

與現(xiàn)有技術相比，在所述LED發(fā)光結構中，所述支撐面在包圍所述發(fā)光芯片的部分設有溝槽，通過環(huán)繞芯片設置溝槽，能增加發(fā)光芯片側面發(fā)光的反射次數(shù)，使發(fā)光芯片側面發(fā)出的光得到充分分散，從而能改善黃圈現(xiàn)象，并使出光光斑均勻。此外，支架上覆蓋有透明膠體時，透明膠體覆蓋熒光材料以及溝槽，從而能增加膠體材料和支架的結合力從而提升其可靠度。

附圖說明

以下結合附圖描述本實用新型的實施例，其中：

圖1是本實用新型第一實施例提供的LED發(fā)光結構的截面示意圖。

圖2是圖1中的溝槽對側面光進行反射的放大結構示意圖。

圖3是圖1中的溝槽局部放大結構示意圖。

圖4是目前的一種LED發(fā)光結構對側面光進行反射的放大結構示意圖。

圖5是本實用新型第二實施例提供的LED發(fā)光結構的截面示意圖。

圖6是本實用新型第三實施例提供的LED發(fā)光結構的截面示意圖。

具體實施方式

以下基于附圖對本實用新型的具體實施例進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅作為實例，并不用于限定本實用新型的保護范圍。

請參閱圖1和2，為本實用新型第一實施例提供的LED發(fā)光結構10，該LED發(fā)光結構10包括支架12以及設于支架12上的發(fā)光芯片14。支架12具有一支撐面120，發(fā)光芯片14設于所述支撐面120上。該支撐面120在包圍發(fā)光芯片14的部分設有溝槽16，所述溝槽1?6環(huán)繞于發(fā)光芯片14周圍。