[實用新型]無水跡基片清洗干燥裝置

無效

• 申請號: 200920126840.7
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN201387879Y
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: 謝鮮武
• 申請（專利權）人: 謝鮮武
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/683;B08B3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種無水跡基片清洗干燥裝置，具體地說，涉及在對用于生產半導體晶片的圓形硅基片，用于生產計算機磁記錄存儲器(HDD)介質的玻璃、陶瓷和鋁質圓形基片，用于生產光學記錄存儲器光盤(CD)、數字通用光盤(DVD)塑料圓形基片，用于生產光學器件的玻璃圓形基片的拋光、清洗裝置中，無水跡清洗干燥基片的裝置。

背景技術

圓形硅基片，玻璃、陶瓷、塑料和鋁質圓形基片廣泛應用于半導體、計算機、信息工業、及民用產品中。在基片的生產過程中，必需對基片反復進行碾磨、化學機械拋光(CMP，Chemical?mechanical?polishing)，通過使用去離子水(DIW)或化學品的濕法清洗工藝，去除殘留在表面的化學物質、小顆粒和其它雜質，降低基片的表面粗糙度，提高基片的表面光潔性，從而提高產品的成品率。

在現有的基片拋光、清洗裝置中，基片由基片傳遞組件和基片升降組件垂直放置于基片清洗容器中，清洗液體供給組件提供基片清洗容器清洗液體，對基片清洗容器中的基片進行清洗。在完成基片清洗步驟后，基片由基片傳遞組件和基片升降組件傳送至基片干燥容器，對基片進行干燥步驟。

現有的一種基片清洗干燥裝置，其基片干燥容器安裝在基片清洗容器上方，組合成一整體的基片清洗干燥裝置。在基片從基片清洗容器提升出來時，基片干燥容器供給經加熱的氮氣對基片進行干燥。由于基片放置在基片支撐架上，位于基片與基片支撐架接觸處的清潔液體無法在基片提升時排出，在干燥過程時接觸處的清潔液體在基片表面上形成水跡。現有的另一種基片清洗干燥裝置，其基片氣體干燥室安裝在基片清洗容器上方，在基片傳遞組件傳送基片時打開與關閉。在基片從基片清洗容器提升出來時，基片氣體干燥室供給室溫的異丙醇(IPA)氣體，對基片進行干燥。在干燥過程中，基片放置在基片支撐架上，位于基片與基片支撐架接觸處的清潔液體無法在基片提升時排出，在基片表面上形成水跡。由于干燥過程在室溫下進行，基片的相對濕度也無法滿足工藝要求。因而降低了設備的清洗干燥效果，從而影響了設備的生產效率和基片的成品率。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本實用新型提供一種無水跡基片清洗干燥裝置，用于在基片的拋光、清洗裝置中，對基片進行無水跡清洗干燥。用于本實用新型的基片可以是圓形硅基片，磁記錄介質基片，以及具有相似形狀結構的其他圓形盤狀基片。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種無水跡基片清洗干燥裝置，其特征是其包括：基片清洗容器，用于清洗基片；基片氣體干燥室，用于基片從基片清洗容器中提升時供給室溫干燥氣體；基片干燥容器，用于供給高溫干燥氣體對基片進行高溫氣體干燥；以及基片傳遞組件，用于將基片從基片清洗容器傳送至基片干燥容器；其中，基片氣體干燥室布置在基片清洗容器的上方，基片清洗容器與基片干燥容器并行排列，基片傳遞組件布置在基片清洗容器與基片干燥容器的一側。

本實用新型無水跡基片清洗干燥裝置采用在基片清洗容器中室溫干燥氣體干燥和在基片干燥容器中高溫干燥氣體干燥的二步干燥法。在完成基片清洗容器的室溫干燥氣體的干燥后，基片傳遞組件將基片從基片清洗容器的基片支撐架上取出，由于室溫干燥氣體干燥后基片表面上的水跡未干，在重力的作用下，水跡沿基片邊緣流向基片底部(六點鐘處)。基片傳遞組件將基片傳送至基片干燥容器，在其基片支撐架的底部支撐塊上部形成刀尖狀，當基片放入基片支撐架時，底部支撐塊上部的刀尖狀與基片底部的水跡接觸，水跡沿刀尖面流下，因而減小或消除了基片底部的水跡。同時由于基片干燥容器采用高溫干燥氣體的干燥，基片干燥后，基片的相對濕度能滿足工藝的要求。

前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中基片從基片清洗容器中緩慢提升至基片氣體干燥室。

前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中用于基片氣體干燥室的室溫干燥氣體是室溫異丙醇(IPA)氣體。

前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中用于基片干燥容器的高溫干燥氣體是高溫干燥清潔空氣(CAD)或氮氣(N2)。

前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中用于基片干燥容器的基片支撐架的底部支撐塊上部成刀尖狀。

前述的無水跡基片清洗干燥裝置，其中基片傳遞組件的基片取放組件布置在基片上方，打開和關閉基片取放組件從基片支撐架上取放基片。