[實用新型]無水跡基片清洗干燥裝置無效
| 申請號: | 200920126840.7 | 申請日: | 2009-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN201387879Y | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發明(設計)人: | 謝鮮武 | 申請(專利權)人: | 謝鮮武 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/683;B08B3/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 401147重慶市渝*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無水 跡基片 清洗 干燥 裝置 | ||
1.一種無水跡基片清洗干燥裝置,其特征是,其包括:
基片清洗容器,用于清洗基片;
基片氣體干燥室,用于基片從基片清洗容器中提升時供給室溫干燥氣體;
基片干燥容器,用于供給高溫干燥氣體對基片進行高溫氣體干燥;以及
基片傳遞組件,用于將基片從基片清洗容器傳送至基片干燥容器;
其中,基片氣體干燥室布置在基片清洗容器的上方,基片清洗容器與基片干燥容器并行排列,基片傳遞組件布置在基片清洗容器與基片干燥容器的一側。
2.如權利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置,其特征是:基片從所述的基片清洗容器中緩慢提升至所述的基片氣體干燥室。
3.如權利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置,其特征是:用于所述的基片氣體干燥室的室溫干燥氣體是室溫異丙醇(IPA)氣體。
4.如權利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置,其特征是:用于所述的基片干燥容器的高溫干燥氣體是高溫干燥清潔空氣(CAD)或氮氣(N2)。
5.如權利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置,其特征是:用于所述的基片干燥容器的基片支撐架的底部支撐塊上部成刀尖狀。
6.如權利要求1所述的無水跡基片清洗干燥裝置,其特征是:所述的基片傳遞組件的基片取放組件布置在基片上方,打開和關閉基片取放組件從基片支撐架上取放基片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





