[實用新型]單顆大功率LED燈

有效

• 申請號: 200920119936.0
• 申請日: 2009-05-18
• 公開（公告）號: CN201416774Y
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 張榮民
• 申請（專利權）人: 張榮民
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V23/06;F21V3/00;F21V17/10;F21V23/00;H01L33/52;H01L33/64;F21Y101/02
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所
• 代理人: 吳秉中

技術領域

本實用新型屬于光電技術領域，具體為單顆大功率LED燈。

背景技術

傳統的LED燈以鋁基板作為支架，雖然生產成本較低，但鋁基板僅能使用于0.25瓦功率以下的LED產品，所發出光亮度等級只能達到300-500mcd，一直停留在低層級小范圍發光產品的應用，應用范圍受局限；且熱傳導系數小，散熱速度慢，影響產品的使用壽命。

實用新型內容

針對現有技術中存在的上述問題，本實用新型的目的在于設計提供一種散熱速度快的單顆大功率LED燈的技術方案，其發光亮度大，可長時間正常工作，使用壽命長。

所述的單顆大功率LED燈，包括豎立設置的基板，基板表面設置軟性電路層，基板頂部配合設置大功率LED芯片，大功率LED芯片通過金線與軟性電路層電路連接，其特征在于基板中部設置穿透的通孔，通孔中穿接設置鍍銀銅棒，鍍銀銅棒頂部與大功率LED芯片底部觸接配合，基板外部配合設置燈罩套，燈罩套與基板之間的空腔中填充樹酯體封裝配合。

所述的單顆大功率LED燈，其特征在于所述大功率LED芯片的功率為1w。

所述的單顆大功率LED燈，其特征在于所述的鍍銀銅棒為中部斷開的結構，上下兩根棒體之間觸接配合，上部的棒體與大功率LED芯片底部觸接配合，下部的棒體用于和外部的連接板配合連接。

所述的單顆大功率LED燈，其特征在于燈罩套的直徑為6mm，基板寬度為5mm，基板厚度為1.5mm，通孔直徑為0.9mm，大功率LED芯片為1.0mm。

所述的單顆大功率LED燈，其特征在于所述的鍍銀銅棒由銅棒表面鍍銀層構成。

所述的單顆大功率LED燈，其特征在于通孔兩側的基板頂部對稱設置金道隔離凹槽。

所述的單顆大功率LED燈，其特征在于鍍銀銅棒頂部與大功率LED芯片底部之間設置銀膠體。

所述的單顆大功率LED燈，其特征在于基板由鋁、銅或鋁銀銅合金材料制成。

上述單顆大功率LED燈，通過在基板中部的通孔中穿接設置鍍銀銅棒，鍍銀銅棒頂部與大功率LED芯片底部觸接配合，使熱傳導系數大幅提升，能有效而快速的傳熱散熱，使大功率LED可長時間正常工作，不會因溫度升高而老化光衰，延長了產品的使用壽命；并在基板外部配合設置燈罩套，燈罩套與基板之間的空腔中填充樹酯體烤硬制成6mm的LED燈，大功率LED芯片選用1w等大功率芯片，其發光亮度大可達到70流明/瓦，大幅度的提升產品的亮度，有效發光面積大，適用于制作高亮度、高清畫面的特大尺寸LED屏幕產品，其顯示效果好，產品質量穩定、可靠。如果采用鋁銀銅合金材料制成基板，則能再提升散熱速度，進一步保障了產品質量。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型側向剖視結構示意圖；

圖3為基板與LED芯片連接結構示意圖；

圖中：1-燈罩套、2-基板、3-樹酯體、4-大功率LED芯片、5-金道隔離凹槽、6-通孔、7-軟性電路層、8-鍍銀銅棒、9-金線、10-銀膠體。

具體實施方式

以下結合說明書附圖對本實用新型作進一步說明：

如圖所示，該單顆大功率LED燈，包括豎立設置的基板2，基板2表面設置軟性電路層7，基板2頂部配合設置大功率LED芯片4，大功率LED芯片4通過金線9與軟性電路層7電路連接。LED芯片4設置在豎立的基板2頂部，使得LED芯片4有大角度發光效果。所述大功率LED芯片4的功率為1w。

基板2中部設置穿透的通孔6，通孔6中穿接設置鍍銀銅棒8，鍍銀銅棒8頂部與大功率LED芯片4底部觸接配合，基板2外部配合設置燈罩套1，燈罩套1與基板2之間的空腔中填充樹酯體3封裝配合。通孔6兩側的基板2頂部對稱設置金道隔離凹槽5。燈罩套1的直徑為6mm，基板2寬度為5mm，基板2厚度為1.5mm，通孔6直徑為0.9mm，大功率LED芯片4為1.0mm。所述的鍍銀銅棒8為中部斷開的結構，上下兩根棒體之間觸接配合，上部的棒體與大功率LED芯片4底部觸接配合，下部的棒體用于和外部的連接板配合連接。所述的鍍銀銅棒8由銅棒表面鍍銀層構成。鍍銀銅棒8頂部與大功率LED芯片4底部之間設置銀膠體10。