[實(shí)用新型]電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920117096.4
• 申請(qǐng)日: 2009-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN201393299Y
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮金奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江新嘉聯(lián)電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H04R19/04
• 分類號(hào): H04R19/04;H04R1/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及傳聲器，尤其涉及電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)。

背景技術(shù)

通常的硅麥克風(fēng)使用的電源和音頻輸出節(jié)點(diǎn)都是在硅麥克風(fēng)內(nèi)通過接線引到硅麥克風(fēng)的PCB板表面，硅麥克風(fēng)內(nèi)的兩個(gè)電容布置成“一”字形排列。這樣的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，連接的可靠性差，制造成本高，而這種電容的布置方式，限制了MEMS晶片的體積，而硅麥克風(fēng)的性能，在一定程度上取決于MEMS晶片的體積。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、連接可靠、性能優(yōu)良的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)。

為了達(dá)到上述要求，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：它有上下兩端開口的框架，開口的上下兩端分別封有上PCB板和下PCB板，形成一容置空腔，容置空腔內(nèi)包括有MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容，并貼裝于下PCB板的內(nèi)表面上，其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)，在框架內(nèi)壁設(shè)有突塊，突塊的側(cè)面設(shè)有金屬層，金屬層與相應(yīng)的MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容連通，突塊上的金屬層均與在上PCB板和下PCB板外表的上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)導(dǎo)通，形成雙面電氣連接通路；所述的兩個(gè)電容在框架內(nèi)呈L形布置；在框架與上PCB板以及框架與下PCB板的周邊接觸面之間分別設(shè)有封閉的環(huán)狀金屬圈。

根據(jù)上述方案制造的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，其優(yōu)點(diǎn)是該硅麥克風(fēng)內(nèi)電子元件的接線引出由框架內(nèi)壁突塊上的金屬層形成的通路來完成，接線緊貼在框架突塊側(cè)面壁上，使得連接可靠，加工和使用方便，在框架與上PCB板和下PCB板的接觸面之間設(shè)的金屬圈可以使整個(gè)硅麥克風(fēng)不受外界電磁信號(hào)的干擾。電容呈L形布置后使得框架內(nèi)更加合理，讓出的空間給MEMS晶片，能使MEMS晶片的體積足夠大。上PCB板和下PCB板的兩個(gè)外表面均有雙面貼裝功能，適用于不同需要的PCB貼裝工藝。因此，該結(jié)構(gòu)具有連接可靠、工藝處理簡(jiǎn)單，制造和使用方便，性能好的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1是電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)局部剖視后的立體示意圖；

圖2是電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)的立體示意圖。

其中：1、框架；2、上PCB板；3、下PCB板；4、容置空腔；5、MEMS晶片；6、IC晶片；7、電容；8、突塊；9、金屬層；10、導(dǎo)電層；11、上觸點(diǎn)；12、金屬圈。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。

圖1、圖2是電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖。從圖中看出，它有上下兩端開口的矩形框架1，開口的上下兩端分別封有上PCB板2和下PCB板3，形成一容置空腔4，容置空腔4內(nèi)包括有MEMS晶片5、IC晶片6及兩個(gè)呈L形布置的電容7，并貼裝于下PCB板3的內(nèi)表面上，在上PCB板2和下PCB板3的外表面上都排布有相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)，在框架1內(nèi)壁設(shè)有突塊8，突塊8的側(cè)面設(shè)有金屬層9，金屬層9與相應(yīng)的MEMS晶片5、IC晶片6及兩個(gè)電容7連通，突塊8上設(shè)有導(dǎo)電層10，加強(qiáng)了電氣連接的可靠性又增加了產(chǎn)品的環(huán)境變化的適應(yīng)性，導(dǎo)電層10再與金屬層9及在上PCB板2和下PCB板3外表的上觸點(diǎn)11和下觸點(diǎn)(在上觸點(diǎn)11對(duì)稱的下PCB板3的外表上)導(dǎo)通，形成雙面電氣連接通路。在框架1與上PCB板2以及框架1與下PCB板3的周邊接觸面之間分別設(shè)有封閉的環(huán)狀金屬圈12，該金屬圈12起到接地線作用的同時(shí)，又可起到屏蔽作用，增強(qiáng)產(chǎn)品的抗高頻干擾能力，環(huán)狀金屬圈12的設(shè)計(jì)增強(qiáng)了產(chǎn)品封裝過程中的密封性和一致性。上述的金屬層9和金屬圈12均為金屬化層。所述的突塊8、金屬層9、上觸點(diǎn)11和下觸點(diǎn)共有相對(duì)獨(dú)立的兩組，是分別用于MEMS晶片5、IC晶片6的電源和音頻輸出的連接點(diǎn)。