[實(shí)用新型]電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920117096.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201393299Y | 公開(公告)日: | 2010-01-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮金奇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江新嘉聯(lián)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R19/04 | 分類號(hào): | H04R19/04;H04R1/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 314100浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容 排列 雙面 雙用硅 麥克風(fēng) | ||
1、電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng),它有上下兩端開口的框架,開口的上下兩端分別封有上PCB板和下PCB板,形成一容置空腔,容置空腔內(nèi)包括有MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容,并貼裝于下PCB板的內(nèi)表面上,其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu),在框架內(nèi)壁設(shè)有突塊,突塊的側(cè)面設(shè)有金屬層,金屬層與相應(yīng)的MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容連通,突塊上的金屬層均與在上PCB板和下PCB板外表的上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)導(dǎo)通,形成雙面電氣連接通路;所述的兩個(gè)電容在框架內(nèi)呈L形布置;在框架與上PCB板以及框架與下PCB板的周邊接觸面之間分別設(shè)有封閉的環(huán)狀金屬圈。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng),其特征是在突塊與下PCB板和上PCB板之間設(shè)有與上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)導(dǎo)通的導(dǎo)電層。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng),其特征是所述的金屬層為金屬化層。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng),其特征是所述的金屬圈為金屬化層。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng),其特征是所述的突塊、金屬層、上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)有相對(duì)獨(dú)立的兩組。
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