[實(shí)用新型]金屬射頻反應(yīng)室有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920109665.0 | 申請(qǐng)日： | 2009-06-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201438453U | 公開（公告）日： | 2010-04-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉薇;王廣明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/00 | 分類號(hào)： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100016 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 射頻 反應(yīng) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種金屬射頻反應(yīng)室，設(shè)有腔體、電極板，其特征在于：所述腔體(1)為不銹鋼材質(zhì)的方形腔體，其前面設(shè)有不銹鋼門(2)，腔體內(nèi)壁的左右側(cè)面分別設(shè)有射頻電極板(3.1、3.2)，所述腔體底部設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的工件托盤(4)，工件托盤通過連接軸與腔體外的電機(jī)(5)傳動(dòng)連接，所述腔體內(nèi)頂部設(shè)有多孔氣體導(dǎo)流板(6)，腔體頂板上設(shè)有進(jìn)氣孔(7)，腔體底板上設(shè)有與真空泵連接的排氣管(8)，所述腔體上設(shè)有工藝觀查窗(10)和真空檢測(cè)口(9)。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
