[實(shí)用新型]多晶硅還原爐電極外套強(qiáng)制冷卻裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920090542.7
• 申請日: 2009-06-01
• 公開（公告）號: CN201433108Y
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙雙喜;林亮亮;薛愛芳;李開英;白建峰;趙金勇
• 申請（專利權(quán)）人: 三門峽化工機(jī)械有限公司
• 主分類號: C01B33/03
• 分類號: C01B33/03
• 代理公司: 鄭州科維專利代理有限公司
• 代理人: 張欣棠;郭乃鳳

1、一種多晶硅還原爐電極外套強(qiáng)制冷卻裝置，含有底盤、底盤夾腔、電極座、電極、冷卻介質(zhì)進(jìn)入總管和冷卻介質(zhì)排出總管，其特征是：所述每一電極座的外壁均設(shè)置有一個(gè)夾套，所述夾套下端與所述底盤夾腔的下部底板密封連接，其上端與所述底盤之間留有間隙，所述每一夾套的下部均分別通過冷卻介質(zhì)分布管與所述冷卻介質(zhì)進(jìn)入總管連通。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐電極外套強(qiáng)制冷卻裝置，其特征是：所述底盤的底部設(shè)置有集氣腔，該集氣腔通過氣體導(dǎo)管向外界排放。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐電極外套強(qiáng)制冷卻裝置，其特征是：所述集氣腔為所述底盤的底部上設(shè)置的盲孔，其數(shù)量為兩個(gè)以上，沿圓周均布。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅還原爐電極外套強(qiáng)制冷卻裝置，其特征是：所述氣體導(dǎo)管為L型，其一端位于所述集氣腔內(nèi)，另一端貫穿所述底盤夾腔的側(cè)壁而出。

5、根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的多晶硅還原爐電極外套強(qiáng)制冷卻裝置，其特征是：所述電極座的數(shù)量為14個(gè)以上，沿圓周分布。