[實用新型]化學氣相沉積機臺及其遮蔽框架

有效

• 申請號: 200920076138.4
• 申請日: 2009-06-11
• 公開（公告）號: CN201567370U
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 徐鳴均;蕭文應;鄭琮锜;李亭輝
• 申請（專利權）人: 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

技術領域

本實用新型涉及一種具有遮蔽框架的化學氣相沉積機臺，特別涉及一種具有定位板塊的遮蔽框架。

背景技術

請參照圖1A，此圖顯示了現有技術中使用化學氣相沉積法(CVD)于一基板10表面沉積膜層的情形。其中，為了避免化學氣相沉積制程當中所進行的電漿處理，在基板的邊緣10a造成電弧現象，因此會在基板的四周設置遮蔽框架(Shadow?Frame)12。

請參照圖1B，此圖顯示了對基板10進行化學氣相沉積時，相關設備的截面圖。一般而言，基板10是放置于一承載臺(stage)14上，再由承載臺14將基板10移動至反應室內進行膜層沉積。由遮蔽框架12的截面來看，其為一階梯狀結構，具有第一階梯表面12a與第二階梯表面12b，其中，第一階梯表面12a正好位于基板10邊緣的上方且面對基板10的上表面，用以遮蔽基板的邊緣部份10a，至于第二階梯表面12b則鄰近于承載臺14四周的上表面。

為了使承載臺14與遮蔽框架12結合時能準確的定位，請同時參見圖1A與圖1B，在遮蔽框架的四個邊框的下表面，也就是在在第二楷梯表面12b上，會分別設置定位孔120。并且，在承載臺14四周的上表面也會分別制作對應的定位插銷140。如此一來，當承載臺14與遮蔽框架12準確的對位時，承載臺14上的插銷140正好會插置于遮蔽框架12下表面的定位孔120。

請參照圖1B、圖2A，此圖顯示了現有技術中，形成于遮蔽框架12其第二楷梯表面12b的定位孔120。一般而言，遮蔽框架12為金屬材質，但制作在承載臺14上的插銷140則為陶瓷材質(Ceramic)，因此，當承載臺14與遮蔽框架12結合時，插銷140與定位孔120的孔壁所發生的磨擦，會造成定位孔120的孔壁磨損而產生微粒并導致所沉積的膜層良率下降。

為了解決上述的問題，現有技術中改用了陶瓷材質來制作遮蔽框架上的定位孔。請參照圖2B，其制作方式是先在遮蔽框架12的第二階梯表面12b上形成一個凹洞，并且以陶瓷材質制作一定位塊16，再將此定位塊16填入所述凹洞中。在此定位塊16的表面上，包括了用來與插銷結合的定位孔160以及兩個螺孔。可通過螺絲161鎖固的方式，將定位塊16鎖固于遮蔽框架12上。

然而，此種解決方式也會衍生出相關的缺點。因為遮蔽框架12在周期性的維修中，會進行陽極處理。但是，經常性的陽極處理，容易造成滑牙現象，進而導致螺絲161與定位塊16由遮蔽框架12上脫落，造成承載臺14或遮蔽框架12的損壞。此外，松脫的定位塊16也可能導致基板10破裂或是所沉積的膜層異常。

請參照圖2C，為了避免前述的的滑牙形象，在現有技術中也有嘗試將陶瓷材質所制作的定位塊18，以嵌入的方式結合于遮蔽框架12上。其作法是在遮蔽框架12的第二楷梯表面12b上挖出一個凹洞，并使凹洞的尺寸與定位塊18的尺寸相符，如此，可直接將定位塊18崁入凹洞而固定于遮蔽框架12上。

但是，此種嵌入的方式，由于無法隨意取出，因此當遮蔽框架12進行周期性的陽極處理時，定位塊18便需要連同遮蔽框架12一起進行陽極處理。此時，陽極處理中的化學物質容易殘留在定位塊18與遮蔽框架12的縫隙間，因此，在后續的膜層沉積中便會造成膜層異常。此外，當定位塊18損壞時，可能需要另外再挖一個新的凹洞，而無法快速的進行更換定位塊的作業，此外也會增加相關的維護費用。

實用新型內容

本實用新型提供一種新式的遮蔽框架，可由遮蔽框架的內緣側邊，嵌入或取出定位板塊，而使拆裝更為方便，并大幅減少維修的時間。

本實用新型所提供的遮蔽框架，可用于與一承載臺上下結合，遮蔽位于承載臺上基板其周圍區域。此遮蔽框架主要包括了下列組件。一階梯結構，具有第一階梯平面與第一階梯側壁，在第一階梯側壁上具有一凹槽。一定位板塊，可嵌入凹槽而與階梯結構結合，定位板塊具有一板面與一側面，在板面上設置有一定位孔，提供遮蔽框架與承載臺結合定位之用，在側面上設置有至少一螺孔，貫穿定位板塊。一螺絲，經由螺孔將定位板塊鎖固于階梯結構上。