[實用新型]多晶硅還原爐無效
| 申請號: | 200920074339.0 | 申請日: | 2009-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN201458747U | 公開(公告)日: | 2010-05-12 |
| 發明(設計)人: | 王春龍 | 申請(專利權)人: | 王春龍 |
| 主分類號: | C01B33/03 | 分類號: | C01B33/03;C30B29/06 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人: | 孫敏 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 還原 | ||
1.一種多晶硅還原爐,其包括有底座以及其上設置的爐體,其特征是,其中所述底座上設置有第一配接部,所述爐體上也相應設置有用于與所述底座第一配接部配接的第二配接部,所述爐體與底座通過兩者配接部的相互配接,配接在一起。
2.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述爐體與底座的配接部之間的接觸面,與所述爐體與底座之間的接觸面之間存在一個高度差。
3.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述爐體用于與底座接觸的底端徑向向外延伸出有延伸部,所述第二配接部設置于所述延伸部上。
4.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述底座的第一配接部為一個臺階結構,而所述爐體的第二配接部包括與所述底座臺階相配接的向下的凸起結構。
5.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述底座的第一配接部為一個凹槽結構,而所述爐體的第二配接部為一個向下的凸起結構。
6.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述底座的第一配接部為一個凸起結構,而所述爐體的第二配接部為一個向上凹陷的凹槽結構。
7.根據權利要求1至6中任一所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述底座的第一配接部與爐體的第二配接部之間還設置有一個密封元件。
8.根據權利要求7所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述底座的第一配接部內設置有一個環形凹槽,密封元件部分收容于該凹槽內。
9.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述底座和爐體上,還設置有緊固元件,以將兩者固定在一起。
10.根據權利要求7所述的多晶硅還原爐,其特征是:其中所述底座和爐體均為夾層,其中設置有冷卻水或冷卻油,所述密封元件遠離所述冷卻水或冷卻油。
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