[實用新型]交直流兩用塞曼效應原子吸收背景校正系統

無效

• 申請號: 200920067708.3
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN201368848Y
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: 楊嘯濤;陳建鋼;陳江韓
• 申請（專利權）人: 上海光譜儀器有限公司
• 主分類號: G01N21/31
• 分類號: G01N21/31;G01J3/42
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳學雯

技術領域

本實用新型涉及一種原子吸收分析裝置，尤其涉及原子吸收分析裝置中的背景系統較正。

背景技術

本領域人士眾所周知，交變磁場塞曼背景校正能獲得比直流磁場塞曼背景校正更高的分析靈敏度，其原因是采用交變磁場在磁場關閉時測量的總吸收信號中，吸收線沒有發生分裂而在直流磁場中，除正常塞曼效應的元素外，作為測量總吸收信號的P平行分量的吸收線也發生了分裂。因此測定靈敏度下降。

但是交變磁場是基于磁場通和斷的調制進行的，因此它不能實現同時背景校正，對于一些低溫元素測量經常遇到的快速變化的背景信號還會帶來誤差。

鑒于交變磁場塞曼背景校正和直流磁場塞曼背景校正的優點和缺點可以互補的特點，可以將交變磁場塞曼背景校正和直流磁場塞曼背景校正整合到一套系統里，實現更理想的背景較正。

由本實用新型人之一參與設計的相關的實用新型：一種恒定磁場反塞曼效應原子吸收分析的方法及其裝置，專利號ZL200410026878.9，授權公告日，2006年8月16日。該專利提供了一種優良的直流磁場塞曼背景校正光路結構設計，可以為將交變磁場塞曼背景校正和直流磁場塞曼背景校正整合到一套系統里的光路設計基礎。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種交直流兩用塞曼效應原子吸收背景較正系統，同時具有交變磁場塞曼背景校正和直流磁場塞曼背景校正的優點，即具有分析靈敏度高的特點的同時，能實現同時背景校正，對于一些低溫元素測量經常遇到的快速變化的背景信號基本不會帶來誤差。

本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現：

交直流兩用塞曼效應原子吸收背景校正系統，其特征在于，包括一原子化器，原子化器兩側裝有一受控磁場發生裝置；所述受控磁場發生裝置連接對受控磁場發生裝置進行控制的控制裝置；

所述控制裝置控制受控磁場發生裝置產生的磁場的參數；

還包括一塞曼背景校正光路結構，所述塞曼背景校正光路結構為直流磁場塞曼背景校正光路結構，包括單色器、偏振棱鏡、光檢測器；

所述光檢測器為分別檢測分析光束和參比光束的光檢測器。

交直流兩用塞曼效應原子吸收背景較正系統的使用方法，用所述光檢測器測量，磁場導通時，實現直流塞曼背景校正；用光檢測器測量，分別在磁場導通和關斷時，測量P⊥分量，實現交流塞曼背景校正。

通過原子化器的光束進入單色器，然后由偏振棱鏡，將所述光束在空間上分離成分析光束和參比光束，光檢測器分別檢測分析光束和參比光束，經過運算，分別得到直流塞曼背景校正和交流塞曼背景校正的原子吸收吸光度值。

所述受控磁場發生裝置在所述控制裝置的控制下，產生橫向可變交流/直流磁場。所述受控磁場為所述交直流兩用塞曼效應原子吸收背景校正系統提供交流/直流磁場。

所述交直流兩用塞曼效應原子吸收背景校正系統在使用中，通過受控磁場發生裝置為原子化器提供橫向可變交流/直流磁場；

首先通過控制裝置打開受控磁場發生裝置產生磁場，這時產生的磁感應強度可能不是理想的磁感應強度，在這種磁感應強度不利于在分析時獲得較高的靈敏度；

接下來通過調整控制裝置，調整磁場發生裝置產生的磁場參數，進而提高分析時獲得的靈敏度。

本實用新型由于同時具有交變磁場塞曼背景校正和直流磁場塞曼背景校正的優點，使兩者的諸多缺點得以消除。本實用新型相對于原有的交變磁場塞曼背景校正，將光束在空間上分離成分析光束和參比光束，再把所得光束通過光檢測器對兩種光束進行檢測、數字運算，得到原子吸收吸光度值，具有對于一些低溫元素測量經常遇到的快速變化的背景信號基本不會帶來誤差的優點。本實用新型相對于原有的直流磁場塞曼背景校正，具有磁場參數可以調整的特點，因此具有分析靈敏度高的特點。

附圖說明

圖1為原子化器及受控磁場發生裝置結構原理圖；

圖2為交直流兩用塞曼效應原子吸收背景較正系統的整體結構示意圖；

圖3為磁場波形規律性變化與P//分量變化和P⊥分量變化對應關系圖；

圖4正常塞曼效應的元素的π成分與σ成分在磁場下對應關系圖；

圖5反常塞曼分裂的元素Ag?328.07nm的π成分與σ成分在磁場下對應關系圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示進一步闡述本實用新型。