[實用新型]交直流兩用塞曼效應原子吸收背景校正系統無效
| 申請號： | 200920067708.3 | 申請日： | 2009-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN201368848Y | 公開（公告）日： | 2009-12-23 |
| 發明（設計）人： | 楊嘯濤;陳建鋼;陳江韓 | 申請（專利權）人： | 上海光譜儀器有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/31 | 分類號： | G01N21/31;G01J3/42 |
| 代理公司： | 上海天翔知識產權代理有限公司 | 代理人： | 陳學雯 |
| 地址： | 201709上海市青浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直流 兩用 效應 原子 吸收 背景 校正 系統 | ||
【權利要求書】：
1.交直流兩用塞曼效應原子吸收背景校正系統，其特征在于，包括一原子化器，原子化器兩側裝有一受控磁場發生裝置；所述受控磁場發生裝置連接對受控磁場發生裝置進行控制的控制裝置；
所述控制裝置控制受控磁場發生裝置產生的磁場的參數；
還包括一塞曼背景校正光路結構，所述塞曼背景校正光路結構為直流磁場塞曼背景校正光路結構，包括單色器、偏振棱鏡、光檢測器；
所述光檢測器為分別檢測分析光束和參比光束的光檢測器。
2.根據權利要求1所述的交直流兩用塞曼效應原子吸收背景校正系統，其特征在于，所述受控磁場發生裝置為采用實現零磁場、低磁場和高磁場的調制的三磁場方式的受控磁場發生裝置。
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