[實用新型]一種新型的高壓MOS管

無效

• 申請號: 200920033856.3
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN201430141Y
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 羅義;羅季義;謝江;徐向軍;朱巍
• 申請（專利權）人: 西安芯派電子科技有限公司
• 主分類號: H01L27/085
• 分類號: H01L27/085;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 西安文盛專利代理有限公司
• 代理人: 佘文英

技術領域

本實用新型涉及一種高壓MOS管。

背景技術

MOSFET是一種較理想的開關器件，它具有開關速度快，功耗小，易驅動等優點，適用于高頻低功耗電子產品。以前類似的產品技術被國外大公司所掌握，國內企業不能做到量產。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種新型的高壓MOS管，具有和國外同類產品同樣品質，但成本更低，能夠控制產品質量和穩定產品成品率，并且能達到量產要求。

一種新型的高壓MOS管，包括漏極區域，N+襯底區域，N-漂移區域，P-阱區域，P+區域，N+有源區域，源極區域，柵極區域，其特征是在N-漂移區域的上部設有JFET區域，P-阱區域具有淺結深，柵極區域是短柵極。

有益效果

本實用新型結構特征是：P阱結深比現有技術的MOSFET淺，并且有JFET結構。這種結構的優點如下：

a)淺結工藝使得導通電阻減小(區域4)；

b)相同外延材料規格下耐壓效率高(區域9)；

c)相同導通電阻下可以減小管芯面積降低成本；

d)柵電荷(Qg)更小，開關速度更快(區域8)；

e)由結構特點能夠實現P+自對準工藝，使得參數均勻性更高；

在工藝上本實用新型采用VDMOS技術，能夠精確控制溝道長度，并容易獲得理想的擊穿電壓。結終端技術的設計，采用場板、分壓環、截止環結構，以提高反向擊穿特性。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型公開了一種新型的高壓MOS管，它采用了VDMOS技術，如圖1所示。區域1為漏極，區域2為N+襯底，區域3為N-漂移區，區域4為P-阱，P阱結深比現有技術的MOSFET淺，區域5為P+區，區域6為N+有源區，區域7為源極，區域8為短柵極，在N-漂移區域的上部設有JFET區域。

JFET結構的MOSFET產品由于其工藝復雜，生產環節控制嚴格，設備要求高，所以只有少數國際知名半導體公司擁有該項技術。由于該項技術加大了元胞密度，使芯片面積大大縮小，降低了產品成本。

本實用新型產品能滿足例如手機充電器等大電壓小電流驅動電路的要求。