[實用新型]一種新型的高壓MOS管無效
| 申請號： | 200920033856.3 | 申請日： | 2009-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN201430141Y | 公開（公告）日： | 2010-03-24 |
| 發明（設計）人： | 羅義;羅季義;謝江;徐向軍;朱巍 | 申請（專利權）人： | 西安芯派電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/085 | 分類號： | H01L27/085;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安文盛專利代理有限公司 | 代理人： | 佘文英 |
| 地址： | 710075陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 高壓 mos | ||
【權利要求書】：
1、一種新型的高壓MOS管，包括漏極區域(1)，N+襯底區域(2)，N-漂移區域(3)，P-阱區域(4)，P+區域(5)，N+有源區域(6)，源極區域(7)，柵極區域8，其特征是在N-漂移區域(3)的上部設有JFET區域，P-阱區域(4)具有淺結深，柵極區域(8)是短柵極。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安芯派電子科技有限公司，未經西安芯派電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920033856.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一體化機蓋支撐治具
- 下一篇：一種具有導熱及散熱油墨的散熱結構
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
