[實用新型]一種新型的高壓MOS管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920033856.3
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN201430141Y
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設計）人: 羅義;羅季義;謝江;徐向軍;朱巍
• 申請（專利權）人: 西安芯派電子科技有限公司
• 主分類號: H01L27/085
• 分類號: H01L27/085;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 西安文盛專利代理有限公司
• 代理人: 佘文英

1、一種新型的高壓MOS管，包括漏極區(qū)域(1)，N+襯底區(qū)域(2)，N-漂移區(qū)域(3)，P-阱區(qū)域(4)，P+區(qū)域(5)，N+有源區(qū)域(6)，源極區(qū)域(7)，柵極區(qū)域8，其特征是在N-漂移區(qū)域(3)的上部設有JFET區(qū)域，P-阱區(qū)域(4)具有淺結深，柵極區(qū)域(8)是短柵極。