[實(shí)用新型]一種射頻介導(dǎo)送能裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920032965.3
• 申請日: 2009-04-30
• 公開（公告）號: CN201450369U
• 公開（公告）日: 2010-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張東波;周必智
• 申請（專利權(quán)）人: 西安華偉光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02J17/00
• 分類號: H02J17/00
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 商宇科;李東京

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種電能輸送裝置，尤其是一種射頻介導(dǎo)送能裝置。

背景技術(shù)

在研制和生產(chǎn)電子式電流互感器時(shí)，需要給電子式電流互感器的高電壓側(cè)采集電路進(jìn)行供電，因此如何獲取一次高電壓側(cè)采集電路的電源，是阻礙其發(fā)展的最大技術(shù)瓶頸；目前主要采用的激光送能和自勵源取能兩種方式，但其都有致命缺點(diǎn)，其中：

激光送能存在如下缺點(diǎn)：

1、工作條件要求高：激光送能過程中需要附加保證激光源運(yùn)行的技術(shù)條件，如溫度要求，濕度要求等，在滿足這些工作條件下，才能實(shí)現(xiàn)送能，其工作條件要求高。

2、壽命周期短：激光送能中所用的連續(xù)半導(dǎo)體激光器在水溫20℃，電流90A，占空比為10％(500Hz，200μs)的條件下工作時(shí)，平均工作壽命為2.19×109次脈沖；而在冷卻水溫35℃的條件下工作時(shí)，其平均工作壽命下降為1.65×109次脈沖。

3、需要監(jiān)測和維護(hù)：由于激光的能量密度非常大，對光學(xué)界面、光連接器的要求也非常高；光學(xué)界面上的任何灰塵雜質(zhì)都會造成該界面的燒蝕損壞，因此必須定期定時(shí)進(jìn)行潔凈，維護(hù)不易。

4、價(jià)格昂貴：一臺激光送能的設(shè)備，其售價(jià)一般在一萬四左右，價(jià)格昂貴。

自勵源取能存在如下缺點(diǎn)：

1、自勵源取能存在零電流死角的問題，一般電流小于1安培時(shí)自勵源不工作，因此其還無法解決開關(guān)合閘瞬間出現(xiàn)的故障電流的測量和保護(hù)問題。

2、啟動慢：自勵源取能在高壓母線電流較小時(shí)，取得的能量很低，如果此時(shí)再給電容充電，要達(dá)到采集電路正常工作的要求的能量所需的充電時(shí)間可達(dá)數(shù)分鐘，導(dǎo)致自勵源取能方式的啟動非常慢；

3、自勵源取能在大電流時(shí)取不到能量，在大的故障電流到來時(shí)，由于取能線圈的磁飽和而使取能功能失效，不能正常工作。

綜上所述，以上因素大大的影響了電子式電流互感器的使用和推廣，而且不利于工作效率的提高，提高了生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型為解決背景技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，而提供一種射頻介導(dǎo)送能裝置。

本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是：本實(shí)用新型為一種射頻介導(dǎo)送能裝置，其特殊之處在于：該裝置包括振蕩電路、激勵耦合電路、介導(dǎo)體、耦合集能電路和能量接收電路，振蕩電路通過激勵耦合電路接入介導(dǎo)體的低壓端，介導(dǎo)體的高壓端通過耦合集能電路接入能量接收電路。

上述振蕩電路是以SG3525芯片為振蕩控制器件的振蕩電路。

上述激勵耦合電路包括射頻磁芯、初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝，初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝分別設(shè)在射頻磁芯的兩側(cè)，初級漆包線繞匝設(shè)有初級中心抽頭，初級中心抽頭接電源，初級漆包線繞匝的兩端用于接振蕩電路的出線；次級漆包線繞匝設(shè)有次級中心抽頭；次級中間抽頭接大地，次級漆包線繞匝兩端用于接介導(dǎo)體的低壓端電極，初級漆包線繞匝的匝數(shù)少于次級漆包線繞匝的匝數(shù)。

上述耦合集能電路包括射頻磁芯、初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝，初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝分別設(shè)在射頻磁芯的兩側(cè)，初級漆包線繞匝設(shè)有初級中心抽頭，初級中心抽頭接高壓母線，初級漆包線繞匝的兩端用于接介導(dǎo)體的高壓端電極；次級漆包線繞匝的兩端接用于接能量接收電路，初級漆包線繞匝的匝數(shù)多于次級漆包線繞匝的匝數(shù)。

上述能量接收電路包括射頻二極管D1～D4，陶瓷電容C1、C2，膽電容E1、E2和電感L，陶瓷電容C1、膽電容E1、陶瓷電容C2，膽電容E2依次并聯(lián)在射頻二極管D1～D4的兩端，射頻二極管D1～D4的的另外兩端接耦合集能電路4，膽電容E1和陶瓷電容C2之間串接有電感L，能量從膽電容E2的兩端輸出。

上述裝置還包括均壓電路，均壓電路并接在高壓電極和地之間。

上述均壓電路由多個(gè)均壓環(huán)狀電極和多個(gè)高壓電阻R組成，多個(gè)均壓環(huán)狀電極縱向串接形成電容串，電容串中的每個(gè)電容都并有高壓電阻R，電容串的上端接高壓電極，下端接地。

上述介導(dǎo)體為一個(gè)或多個(gè)。

上述介導(dǎo)體為電介常數(shù)ε≥1000的陶瓷體或電容串。