[實用新型]一種射頻介導送能裝置

有效

• 申請號: 200920032965.3
• 申請日: 2009-04-30
• 公開（公告）號: CN201450369U
• 公開（公告）日: 2010-05-05
• 發明（設計）人: 張東波;周必智
• 申請（專利權）人: 西安華偉光電技術有限公司
• 主分類號: H02J17/00
• 分類號: H02J17/00
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 商宇科;李東京

1.一種射頻介導送能裝置，其特征在于：該裝置包括振蕩電路、激勵耦合電路、介導體、耦合集能電路和能量接收電路，所述振蕩電路通過激勵耦合電路接入介導體的低壓端，所述介導體的高壓端通過耦合集能電路接入能量接收電路。

2.根據權利要求1所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述振蕩電路是以SG3525芯片為振蕩控制器件的振蕩電路。

3.根據權利要求1所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述激勵耦合電路包括射頻磁芯、初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝，所述初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝分別設在射頻磁芯的兩側，所述初級漆包線繞匝設有初級中心抽頭，所述初級中心抽頭接電源，初級漆包線繞匝的兩端用于接振蕩電路的出線；所述次級漆包線繞匝設有次級中心抽頭；所述次級中間抽頭接大地，所述次級漆包線繞匝兩端用于接介導體的低壓端電極，所述初級漆包線繞匝的匝數少于次級漆包線繞匝的匝數。

4.根據權利要求1所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述耦合集能電路包括射頻磁芯、初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝，所述初級漆包線繞匝和次級漆包線繞匝分別設在射頻磁芯的兩側，所述初級漆包線繞匝設有初級中心抽頭，所述初級中心抽頭接高壓母線，所述初級漆包線繞匝的兩端用于接介導體的高壓端電極；所述次級漆包線繞匝的兩端用于接能量接收電路，所述初級漆包線繞匝的匝數多于次級漆包線繞匝的匝數。

5.根據權利要求1所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述能量接收電路包括射頻二極管D1～D4，陶瓷電容C1、C2，膽電容E1、E2和電感L，所述陶瓷電容C1、膽電容E1、陶瓷電容C2，膽電容E2依次并聯在射頻二極管D1～D4的兩端，所述射頻二極管D1～D4的的另外兩端接耦合集能電路4，所述膽電容E1和陶瓷電容C2之間串接有電感L，能量從膽電容E2的兩端輸出。

6.根據權利要求1至5中任一權利要求所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：該裝置還包括均壓電路，所述均壓電路并接在高壓電極和地之間。

7.根據權利要求6所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述均壓電路由多個均壓環狀電極和多個高壓電阻R組成，所述多個均壓環狀電極縱向串接形成電容串，所述電容串中的每個電容都并有高壓電阻R，電容串的上端接高壓電極，下端接地。

8.根據權利要求7所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述介導體為一個或多個；所述介導體是多個時，該多個介導體并聯在激勵耦合電路和耦合集能電路之間。

9.根據權利要求8所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述介導體為電介常數ε≥1000的陶瓷體或電容串。

10.根據權利要求9所述的射頻介導送能裝置，其特征在于：所述電容串的電容量大于10PF。