[發明專利]電子裝置殼體及其制作方法

無效

• 申請號: 200910312423.6
• 申請日: 2009-12-28
• 公開（公告）號: CN102111970A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 姜傳華;杜琪健
• 申請（專利權）人: 深圳富泰宏精密工業有限公司
• 主分類號: H05K5/00
• 分類號: H05K5/00;C03C17/245;C03C17/42;C04B41/85;C04B41/89
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1.一種電子裝置殼體，其包括一基體及形成于基體表面的納米二氧化鈦膜，其特征在于：該納米二氧化鈦膜為金紅石相晶格結構或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結構，其厚度在10-100nm之間。

2.如權利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于：所述基體由塑料、玻璃或陶瓷制成。

3.如權利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于：所述納米二氧化鈦膜以真空濺鍍的方式形成。

4.如權利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于：所述殼體還包括一形成于基體與納米二氧化鈦膜之間的底漆層。

5.如權利要求4所述的電子裝置殼體，其特征在于：所述底漆層為丙烯酸樹脂漆層，環氧樹脂漆層、聚氨酯樹脂漆層或酚醛樹脂漆層，其厚度在1-30μm之間。

6.一種電子裝置殼體的制作方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

在該基體的表面真空濺鍍一納米二氧化鈦膜，該納米二氧化鈦膜為金紅石相晶格結構或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結構，其厚度在10-100nm之間。

7.如權利要求6所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于：濺鍍該納米二氧化鈦膜的工藝條件為：本底真空度為5×10-4～9×10-4Pa，真空室內的壓力為0.05～0.29Pa，真空室內氧氣的分壓為0.01-0.225Pa。

8.如權利要求6所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于：濺鍍納米二氧化鈦膜時以金屬鈦作為靶材，靶材的電源輸出功率為3000～4000W，濺鍍二氧化鈦膜的速率為0.3～0.5nm/S。

9.如權利要求6所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于：所述方法還包括在濺鍍二氧化鈦膜前在基體表面噴涂一底漆層的步驟。

10.如權利要求9所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于：所述底漆層為丙烯酸樹脂漆層、環氧樹脂漆層、聚氨酯樹脂漆層或酚醛樹脂漆層，該底漆層的厚度在1-30μm之間。