[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910310725.X
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN102082222A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 林大為
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光元件，尤其涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法。

背景技術

隨著發(fā)光二極管器件逐步應用于大功率照明，發(fā)光二極管器件產(chǎn)生越來越多的熱量，如果不能有效散發(fā)發(fā)光二極管器件所產(chǎn)生的熱量，將降低發(fā)光二極管的使用壽命。然，發(fā)光二極管的基板通常采用藍寶石，藍寶石的熱傳導系數(shù)相對較低，其導熱性能并不能完全滿足大功率發(fā)光二極管器件的散熱需要。

發(fā)明內容

有鑒于此，有必要提供一種散熱性能較佳的發(fā)光二極管芯片及其制造方法。

一種發(fā)光二極管芯片，包括基板及具有p-n結的半導體發(fā)光結構，基板包括相對設置的第一表面及第二表面，該具有p-n結的半導體發(fā)光結構形成于該基板的第一表面上，基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔內填充導熱材料以形成導熱柱。

一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，包括：提供一基板，該基板包括相對設置的第一表面及第二表面，該基板的第一表面上形成具有p-n結的半導體發(fā)光結構；該基板的第二表面形成若干盲孔；每一盲孔內填充導熱材料形成導熱柱。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的基板上形成導熱柱，提高基板的熱傳導系數(shù)，增強基板的導熱性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片一較佳實施例的剖面示意圖。

圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片制造方法的流程圖。

主要元件符號說明

具體實施方式

請參閱圖1，發(fā)光二極管芯片1包括基板10及具有p-n結的半導體發(fā)光結構15。基板10為藍寶石基板，基板10包括相對設置的第一表面103及第二表面104，該具有p-n結的半導體發(fā)光結構15形成于該基板10的第一表面103上。

在本實施方式中，該具有p-n結的半導體發(fā)光結構15為氮化鎵系III-V族化合物半導體，該具有p-n結的半導體發(fā)光結構15包括n型半導體層11、活性層12、p型半導體層13、第一電極141及第二電極142，n型半導體層11、活性層12及p型半導體層13依次堆疊于基板10的第一表面103上，第一電極141與n型半導體層11連接，第二電極142與p型半導體層13連接。n型半導體層11形成于基板10的第一表面103之上，活性層12形成于n型半導體層11之上，p型半導體層13形成于活性層12之上，將p型半導體層13、活性層12及n型半導體層11的表面于一側腐蝕去除一部分，露出部分n型半導體層11的表面，第一電極141形成于露出的n型半導體層110的表面上，第二電極142形成于p型半導體層13之上。基板10的第二表面104形成若干盲孔101，每一盲孔101內填充導熱材料以形成導熱柱102。導熱柱102優(yōu)選銅作為材料。發(fā)光二極管芯片1工作時產(chǎn)生的熱量可以通過導熱柱102傳導至下方，增加藍寶石基板10的傳熱效率。

如圖2所示，上述發(fā)光二極管芯片1的制造方法包括以下步驟：首先，提供一基板10，該基板10包括相對設置的第一表面103及第二表面104，該基板10的第一表面103上形成具有p-n結的半導體發(fā)光結構15；其次，在該基板10的第二表面104蝕刻形成若干盲孔101；最后，在每一盲孔101內填充導熱材料以形成導熱柱102。在本實施方式中，采用在每一盲孔101內電鍍銅等高導熱金屬材料以形成導熱柱102。

另，本領域技術人員還可于本發(fā)明精神內做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內。