[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管芯片及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910310725.X
• 申請(qǐng)日: 2009-12-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102082222A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林大為
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種發(fā)光二極管芯片，包括基板及具有p-n結(jié)的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面及第二表面，該具有p-n結(jié)的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)形成于該基板的第一表面上，其特征在于：基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔內(nèi)填充導(dǎo)熱材料以形成導(dǎo)熱柱。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：該導(dǎo)熱材料為銅。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：該基板為藍(lán)寶石基板。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：該具有p-n結(jié)的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層、第一電極及第二電極，n型半導(dǎo)體層及p型半導(dǎo)體層堆疊于基板的第一表面上，第一電極與n型半導(dǎo)體層連接，第二電極與p型半導(dǎo)體層連接。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：該n型半導(dǎo)體層及p型半導(dǎo)體層之間具有活性層。

6.一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，包括：

提供一基板，該基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面及第二表面，該基板的第一表面上形成具有p-n結(jié)的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)；

該基板的第二表面形成若干盲孔；

每一盲孔內(nèi)填充導(dǎo)熱材料形成導(dǎo)熱柱。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：采用蝕刻方式在該基板的第二表面形成該若干盲孔。

8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：該導(dǎo)熱柱是在每一盲孔內(nèi)鍍銅形成。