[發明專利]磁控濺射靶及采用該磁控濺射靶的磁控濺射裝置

無效

• 申請號: 200910305378.1
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101988189A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 裴紹凱
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種磁控濺射裝置，尤其涉及一種真空鍍膜用磁控濺射靶及采用該磁控濺射靶的磁控濺射裝置。

背景技術

現有的真空鍍膜一般是通過發射Ar⁺粒子，在真空室內撞擊鍍膜材料，使得材料的原子從加熱源離析出來，并打到被鍍物體的表面上從而形成膜層。

磁控濺射靶是真空鍍膜的重要設備之一。現有磁控濺射靶中，使用的磁芯相對鍍膜材料以及被鍍膜基板均固定，由于磁芯之間的性能差異，使得部分Ar⁺粒子無法被磁場吸收而部分過于集中于磁場范圍內，從而導致Ar⁺粒子在磁控濺射靶周圍分布不均勻，一方面影響鍍膜質量，另一方面降低了靶材利用率。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種能夠提高鍍膜均勻度和靶材利用率的磁控濺射靶及具有該磁控濺射靶的磁控濺射裝置。

一種磁控濺射靶，其包括靶座、至少一個靶材、多個磁芯以及磁芯平移機構。所述靶材固定在所述靶座上，所述多個磁芯固定在所述磁芯平移機構上。所述每兩個相鄰磁芯的磁性相反。所述磁芯平移機構包括支撐板、多個輥軸以及傳動條，支撐板邊緣固定在所述靶座上且與所述靶材平行，多個輥軸設置在該支撐板上并能夠相對該支撐板旋轉，傳動條環繞該多個輥軸以及支撐板設置，所述磁芯平移機構能夠帶動所述多個磁芯相對所述靶材平移。

一種磁控濺射裝置，其通過鍍膜粒子撞擊靶材進行鍍膜。該磁控濺射裝置包括屏蔽罩、基板承載座、基板以及磁控濺射靶。所述屏蔽罩形成有一第一腔體，基板承載座、基板以及磁控濺射靶位于第一腔體內，基板承載座與磁控濺射靶正對設置，基板安裝于基板承載座上，磁控濺射靶樞接在所述屏蔽罩內壁上。磁控濺射靶包括靶座、至少一個靶材、多個磁芯以及磁芯平移機構，所述靶材固定在所述靶座上，所述多個磁芯固定在所述磁芯平移機構上，所述每兩個相鄰磁芯的磁性相反。所述磁芯平移機構包括支撐板、多個輥軸以及傳動條，支撐板邊緣固定在所述靶座上且與所述靶材平行，多個輥軸設置在該支撐板上并能夠相對該支撐板旋轉，傳動條環繞該多個輥軸以及支撐板設置，所述磁芯平移機構能夠帶動所述多個磁芯相對所述靶材平移。

與現有技術相比，本發明的磁控濺射裝置，在磁控濺射靶上設置磁芯平移機構，使得鍍膜過程能夠通過運動的磁場來控制鍍膜粒子均勻分布，從而能夠改善鍍膜均勻度。且通過多個磁芯的磁場分布，提高鍍膜粒子的撞擊次數，從而提高靶材利用率。

附圖說明

圖1為本發明實施方式提供的磁控濺射裝置的剖面示意圖；

圖2為圖1的磁控濺射裝置的磁控濺射靶的立體圖；

圖3為圖2的磁控濺射靶沿III-III線的剖示圖；

圖4為圖2的磁控濺射靶沿IV-IV線的剖示圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。

如圖1所示，本發明實施方式提供的一種磁控濺射裝置100，其用于通過鍍膜粒子撞擊靶材對待鍍膜的基板40進行鍍膜。本實施方式中，所述鍍膜粒子為Ar⁺粒子。該磁控濺射裝置100包括屏蔽罩10、基板承載座20以及磁控濺射靶30。所述屏蔽罩10形成有一第一腔體101，基板承載座20以及磁控濺射靶30均位于第一腔體101內。基板承載座20正對磁控濺射靶30設置，其用于承載該待鍍膜的基板40。磁控濺射靶30樞接在所述屏蔽罩10的內壁上。

所述屏蔽罩10上開設有抽真空孔11、靶材接地線孔12以及基板接地線孔13。所述基板40上連接有一基板接地線14，該磁控濺射靶30上連接有一靶材接地線15，該基板接地線14從該基板接地線孔13引出第一腔體101外，該靶材接地線15從該靶材接地線孔12引出該第一腔體101外。

如圖2至圖4所示，磁控濺射靶30包括靶座31、至少一個靶材33、多個磁芯35以及磁芯平移機構37。本實施方式中，所述靶材33的數量為兩個。所述兩個靶材33固定在所述靶座31上，所述靶座31能夠帶動該靶材33相對該屏蔽罩10轉動。所述多個磁芯35固定在所述磁芯平移機構37上并設定在所述兩個靶材33之間。所述磁芯平移機構37能夠帶動所述多個磁芯35相對所述靶材33轉動。