[發(fā)明專利]一種絕緣體上硅器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910305117.X
• 申請日: 2009-08-03
• 公開（公告）號: CN101621064A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 畢津順;海潮和;韓鄭生;羅家俊
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/84
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所
• 代理人: 王建國

1.一種絕緣體上硅器件，包括p型底部硅襯底(104)、埋氧層(103)以及形成于頂層硅膜(102)內(nèi)的N型場效應(yīng)晶體管(66)和P型場效應(yīng)晶體管(68)，其特征在于，所述N型場效應(yīng)晶體管(66)位于體區(qū)(608)中，其包括漏極(96)、源極(500)、柵極(92)和體引出部分(56)，所述體引出部分(56)為+3價離子摻雜的多晶硅；所述P型場效應(yīng)晶體管(68)位于體區(qū)(610)中，其包括漏極(98)、源極(550)、柵極(92)和體引出部分(58)，所述體引出部分(58)為+5價離子摻雜的多晶硅；所述體區(qū)(608)和體區(qū)(610)之間是電學(xué)隔離的，所述p型底部硅襯底(104)上具有深N型阱(310)，所述深N型阱(310)注入有+5價離子，所述包含N型場效應(yīng)晶體管(66)的體區(qū)(608)通過所述體引出部分(56)與所述p型底部硅襯底(104)電連接，所述包含P型場效應(yīng)晶體管(68)的體區(qū)(610)通過所述體引出部分(58)與所述深N型阱(310)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅器件，其特征在于，所述體區(qū)(608)和體區(qū)(610)之間是通過臺面隔離技術(shù)、淺槽隔離技術(shù)或者局部硅氧化隔離技術(shù)進行電學(xué)隔離的。

3.一種絕緣體上硅器件的制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下步驟：

步驟一：在絕緣體上硅的頂層硅膜(102)表面旋涂光刻膠(100)，并采用阱版對其進行曝光顯影后，再進行離子的注入；

步驟二：對經(jīng)過離子注入后的器件進行電學(xué)隔離；

步驟三：在電學(xué)隔離后的器件表面旋涂光刻膠(320)，并采用體引出版對其進行曝光顯影后，再進行干法刻蝕；

步驟四：在經(jīng)過干法刻蝕后的器件表面沉積形成多晶硅層(303)，并對所述多晶硅層(303)進行平坦化處理；

步驟五：在平坦化處理后的器件表面旋涂光刻膠(320)，并采用N型場效應(yīng)晶體管體引出版對其進行曝光顯影后，再進行+3價離子的注入；

步驟六：在經(jīng)過+3價離子注入后的器件表面旋涂光刻膠(320)，并采用P型場效應(yīng)晶體管體引出版對其進行曝光顯影后，再進行+5價離子的注入；

步驟七：在經(jīng)過+5價離子注入后的器件表面旋涂光刻膠(400)，并采用有源區(qū)版對其進行曝光顯影后，再進行干法刻蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣體上硅器件的制備方法，其特征在于，所述步驟一中的阱版為深N型阱版。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣體上硅器件的制備方法，其特征在于，所述步驟二中電學(xué)隔離的技術(shù)為臺面隔離技術(shù)、淺槽隔離技術(shù)或者局部硅氧化隔離技術(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣體上硅器件的制備方法，其特征在于，所述步驟四中多晶硅層(303)的厚度＝埋氧層(103)的厚度+0.5×頂層硅膜(102)的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣體上硅器件的制備方法，其特征在于，所述步驟五中+3價離子注入的條件為：注入能量在30Kev～100Kev范圍，注入劑量在10¹²/cm²～10¹³/cm²，注入角度為0度。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的絕緣體上硅器件的制備方法，其特征在于，所述步驟六中+5價離子注入的條件為：注入能量在50Kev～200Kev范圍，注入劑量在10¹²/cm²～10¹³/cm²，注入角度為0度。